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首页 全部分类 CSD19534Q5A vs DMTH10H015LK3-13

CSD19534Q5A备选型号: DMTH10H015LK3-13

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  • 工厂交货时间
  • 触点镀层
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  • 引脚数
  • 晶体管元件材料
  • 系列
  • 操作温度
  • 包装
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 附加功能
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • Reach合规守则
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 基本部件号
  • 通道数量
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 最大结点温度（Tj）
  • 反馈上限-最大值 (Crss)
  • 宽度
  • 高度
  • 长度
  • 器件厚度
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 已出版
  • 端子表面处理
  • JESD-30代码
  • 配置
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • DS 击穿电压-最小值
  • Texas Instruments
    CSD19534Q5A
    Texas Instruments
    MOSFET N-CH 100V 50 8SON
    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
    6 Weeks
    Tin
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    SILICON
    50A Ta
    NexFET™
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    雪崩 额定
    DUAL
    无铅
    260
    not_compliant
    未说明
    CSD19534
    1
    Single
    增强型MOSFET
    3.2W
    DRAIN
    9 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    15.1m Ω @ 10A, 10V
    3.4V @ 250μA
    1680pF @ 50V
    22nC @ 10V
    14ns
    ±20V
    6 ns
    10A
    20V
    100V
    55 mJ
    150°C
    7.4 pF
    6mm
    1.1mm
    4.9mm
    1mm
    ROHS3 Compliant
    含铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Diodes Incorporated
    DMTH10H015LK3-13
    Diodes Incorporated
    MOSFET NCH 100V 52.5A TO252
    -
    23 Weeks
    -
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
    -
    SILICON
    52.5A Ta
    Automotive, AEC-Q101
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    e3
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    HIGH RELIABILITY
    SINGLE
    鸥翼
    未说明
    not_compliant
    未说明
    -
    -
    -
    增强型MOSFET
    -
    DRAIN
    -
    N-Channel
    SWITCHING
    15m Ω @ 20A, 10V
    3.5V @ 250μA
    1871pF @ 50V
    33.3nC @ 10V
    -
    ±20V
    -
    52.5A
    -
    -
    85 mJ
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    -
    2016
    Matte Tin (Sn)
    R-PSSO-G2
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    100V
    37.1A
    0.018Ohm
    50A
    100V
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