CSD19534Q5AT备选型号: IRFH5210TR2PBF

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 生命周期状态
  • 工厂交货时间
  • 触点镀层
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 质量
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 包装
  • 系列
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 附加功能
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度(摄氏度)
  • Reach合规守则
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 基本部件号
  • 通道数量
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs(最大值)
  • 下降时间(典型值)
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 雪崩能量等级(Eas)
  • 最大结点温度(Tj)
  • 反馈上限-最大值 (Crss)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 器件厚度
  • 达到SVHC
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 供应商器件包装
  • 已出版
  • 电阻
  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • 最大功率耗散
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 输入电容
  • 恢复时间
  • 漏源电阻
  • 最大rds
  • 栅源电压
  • 辐射硬化
  • Texas Instruments
    TEXAS INSTRUMENTS CSD19534Q5ATMOSFET Transistor, N Channel, 50 A, 100 V, 0.0126 ohm, 10 V, 2.8 V
    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
    6 Weeks
    Tin
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    24.012046mg
    SILICON
    50A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    NexFET™
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    雪崩 额定
    DUAL
    无铅
    260
    not_compliant
    未说明
    CSD19534
    1
    Single
    增强型MOSFET
    3.2W
    DRAIN
    9 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    15.1m Ω @ 10A, 10V
    3.4V @ 250μA
    1680pF @ 50V
    22nC @ 10V
    14ns
    ±20V
    6 ns
    44A
    2.8V
    20V
    100V
    55 mJ
    150°C
    7.4 pF
    1.1mm
    4.9mm
    6mm
    1mm
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    含铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 100V 10A 5X6 PQFN
    -
    -
    -
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerVDFN
    8
    -
    -
    10A Ta 55A Tc
    -
    Cut Tape (CT)
    HEXFET®
    -
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    Single
    -
    3.6W
    -
    7.2 ns
    N-Channel
    -
    14.9mOhm @ 33A, 10V
    4V @ 100μA
    2570pF @ 25V
    59nC @ 10V
    9.7ns
    -
    6.5 ns
    100A
    2V
    20V
    100V
    -
    -
    -
    838.2μm
    5.9944mm
    5mm
    -
    无SVHC
    符合RoHS标准
    无铅
    8-PQFN (5x6)
    2011
    14.9MOhm
    150°C
    -55°C
    3.6W
    100V
    2.57nF
    44 ns
    14.9mOhm
    14.9 mΩ
    2 V
  • 添加型号
分立半导体产品相关产品
图片 产品型号 品牌 分类 封装 描述 对比
BSC109N10NS3GATMA1 BSC109N10NS3GATMA1 Infineon Technologies 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 8-PowerTDFN Trans MOSFET N-CH 100V 63A 8-Pin TDSON EP 对比
IRFR4510TRPBF IRFR4510TRPBF Infineon Technologies 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 MOSFET N CH 100V 56A DPAK 对比
IRFR4510PBF IRFR4510PBF Infineon Technologies 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 MOSFET N CH 100V 56A DPAK 对比