Infineon Technologies IRFH5210TR2PBF

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-PowerVDFN

引脚数

8

供应商器件包装

8-PQFN (5x6)

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

10A Ta 55A Tc

Number of Elements

1

Turn Off Delay Time

21 ns

包装

Cut Tape (CT)

系列

HEXFET®

已出版

2011

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

电阻

14.9MOhm

最高工作温度

150°C

最小工作温度

-55°C

最大功率耗散

3.6W

元素配置

Single

功率耗散

3.6W

接通延迟时间

7.2 ns

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

14.9mOhm @ 33A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 100μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

2570pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

59nC @ 10V

上升时间

9.7ns

漏源电压 (Vdss)

100V

下降时间（典型值）

6.5 ns

连续放电电流(ID)

100A

阈值电压

2V

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏源击穿电压

100V

输入电容

2.57nF

恢复时间

44 ns

漏源电阻

14.9mOhm

最大rds

14.9 mΩ

栅源电压

2 V

高度

838.2μm

长度

5.9944mm

宽度

5mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅