CSD19535KTT备选型号: IRFS3107PBF
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 触点镀层
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 附加功能
- 终端形式
- Reach合规守则
- 基本部件号
- 元素配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- DS 击穿电压-最小值
- 雪崩能量等级(Eas)
- 长度
- 高度
- 宽度
- 器件厚度
- RoHS状态
- 无铅
- 已出版
- 终端
- 功率耗散
- 反向恢复时间
- 阈值电压
- 漏源击穿电压
- 双电源电压
- 栅源电压
- 辐射硬化
- 达到SVHC
- MOSFET N-CH 100V 200A TO263ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)6 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-4, D2Pak (3 Leads + Tab), TO-263AATin3SILICON1-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)NexFET™e3yes活跃2 (1 Year)2EAR99雪崩 额定鸥翼not_compliantCSD19535Single增强型MOSFETDRAIN9 nsN-ChannelSWITCHING3.4m Ω @ 100A, 10V3.4V @ 250μA7930pF @ 50V98nC @ 10V18ns100V±20V15 ns200A20V0.0041Ohm400A100V451 mJ10.18mm4.83mm8.41mm4.44mmROHS3 Compliant含铅----------
- MOSFET N-CH 75V 195A D2PAK--表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB-3-99 ns-55°C~175°C TJTubeHEXFET®--Discontinued1 (Unlimited)-EAR99----Single--19 nsN-Channel-3m Ω @ 140A, 10V4V @ 250μA9370pF @ 50V240nC @ 10V110ns-±20V100 ns230A20V----10.668mm4.826mm9.65mm-ROHS3 Compliant无铅2008SMD/SMT370W54 ns2.35V75V75V2.35 V无无SVHC
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IRFS3107PBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 75V 195A D2PAK | 对比 |




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