您好，欢迎来到优特美尔 登录 注册有礼
我的订单 会员中心
订单状态 询价历史 我的收藏 地址管理
QQ在线咨询 电话0755-83328606
DEGSON海康连接器端子储存器硬盘闪存卡
IC分立半导体传感器
询价列表
购物车
0
首页 产品目录表 品牌库 BOM配单 行业资讯 资质认证 关于我们 联系我们
首页 全部分类 CSD19537Q3 vs IPD60N10S412ATMA1

CSD19537Q3备选型号: IPD60N10S412ATMA1

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 生命周期状态
  • 工厂交货时间
  • 触点镀层
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 包装
  • 系列
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 附加功能
  • 端子位置
  • 终端形式
  • Reach合规守则
  • 基本部件号
  • 配置
  • 通道数量
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 最大结点温度（Tj）
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 器件厚度
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 已出版
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • JESD-30代码
  • 无卤素
  • 最大双电源电压
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • Texas Instruments
    CSD19537Q3
    Texas Instruments
    MOSFET N-CH 100V 50A 8VSON
    ACTIVE (Last Updated: 5 days ago)
    6 Weeks
    Copper, Tin
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerVDFN
    8
    SILICON
    50A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    NexFET™
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    雪崩 额定
    DUAL
    无铅
    not_compliant
    CSD19537
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    1
    增强型MOSFET
    2.8W
    DRAIN
    5 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    14.5m Ω @ 10A, 10V
    3.6V @ 250μA
    1680pF @ 50V
    21nC @ 10V
    3ns
    ±20V
    3 ns
    9.7A
    3V
    20V
    100V
    55 mJ
    150°C
    1.1mm
    3.3mm
    3.3mm
    1mm
    ROHS3 Compliant
    含铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IPD60N10S412ATMA1
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH TO252-3
    -
    14 Weeks
    -
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    SILICON
    60A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    Tin (Sn)
    -
    SINGLE
    鸥翼
    not_compliant
    -
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    -
    增强型MOSFET
    -
    DRAIN
    6 ns
    N-Channel
    -
    12.2m Ω @ 60A, 10V
    3.5V @ 46μA
    2470pF @ 25V
    34nC @ 10V
    3ns
    ±20V
    13 ns
    60A
    -
    20V
    -
    120 mJ
    -
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    含铅
    2013
    未说明
    未说明
    R-PSSO-G2
    无卤素
    100V
    0.0122Ohm
    240A
  • 添加型号
分立半导体产品相关产品
图片 产品型号 品牌 分类 封装 描述 对比
IPD60N10S412ATMA1 IPD60N10S412ATMA1 Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 MOSFET N-CH TO252-3 对比
BSC109N10NS3GATMA1 BSC109N10NS3GATMA1 Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 8-PowerTDFN Trans MOSFET N-CH 100V 63A 8-Pin TDSON EP 对比
IRFR4510TRPBF IRFR4510TRPBF Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 MOSFET N CH 100V 56A DPAK 对比