CSD22202W15备选型号: DMP1011UCB9-7
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 触点镀层
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 端子表面处理
- 端子位置
- 终端形式
- 基本部件号
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 反馈上限-最大值 (Crss)
- 高度
- 长度
- 宽度
- RoHS状态
- 无铅
- 已出版
- ECCN 代码
- 附加功能
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 参考标准
- JESD-30代码
- 配置
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs(最大值)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- DS 击穿电压-最小值
- Trans MOSFET P-CH 8V 10A 9-Pin DSBGA T/RACTIVE (Last Updated: 6 days ago)16 WeeksCopper, Silver, Tin表面贴装表面贴装9-UFBGA, DSBGA9SILICON10A Ta-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)NexFET™e1yes活跃1 (Unlimited)9Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)BOTTOMBALLCSD22202Single增强型MOSFET1.5W10.4 nsP-ChannelSWITCHING12.2m Ω @ 2A, 4.5V1.1V @ 250μA1390pF @ 4V8.4nC @ 4.5V8.4ns38 ns10A-6V8V48A250 pF625μm1.75mm1.75mmROHS3 Compliant无铅-------------
- MOSFET P-CH 8V 10A U-WLB1515-9-22 Weeks-表面贴装表面贴装9-UFBGA, WLBGA-SILICON10A Ta-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)-e1yes活跃1 (Unlimited)9Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)BOTTOMBALL--增强型MOSFET--P-ChannelSWITCHING10m Ω @ 2A, 4.5V1.1V @ 250μA1060pF @ 4V10.5nC @ 4.5V--10A---350 pF---ROHS3 Compliant-2015EAR99HIGH RELIABILITY未说明未说明AEC-Q101S-PBGA-B9SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR8V-6V7.4A0.014Ohm8V
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|



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