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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥8.394253
10
¥7.919106
100
¥7.470859
500
¥7.047976
1000
¥6.649039
Diodes Incorporated DMP1011UCB9-7
- 收藏
- 对比
DMP1011UCB9-7
671-DMP1011UCB9-7
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
9-UFBGA, WLBGA
大陆
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MOSFET P-CH 8V 10A U-WLB1515-9
--最小包装量--
¥
总价: ¥
DMP1011UCB9-7详情
Diodes Incorporated DMP1011UCB9-7重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
22 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
9-UFBGA, WLBGA
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
10A Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V 4.5V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
890mW Ta
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2015
JESD-609代码
e1
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
9
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
附加功能
HIGH RELIABILITY
端子位置
BOTTOM
终端形式
BALL
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
参考标准
AEC-Q101
JESD-30代码
S-PBGA-B9
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
操作模式
增强型MOSFET
场效应管类型
P-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
10m Ω @ 2A, 4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1.1V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
1060pF @ 4V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
10.5nC @ 4.5V
漏源电压 (Vdss)
8V
Vgs(最大值)
-6V
连续放电电流(ID)
10A
最大漏极电流 (Abs) (ID)
7.4A
漏极-源极导通最大电阻
0.014Ohm
DS 击穿电压-最小值
8V
反馈上限-最大值 (Crss)
350 pF
RoHS状态
ROHS3 Compliant
DMP1011UCB9-7拓展信息
Diodes Incorporated
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