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首页 全部分类 CSD23203WT vs NTHD2102PT1

CSD23203WT备选型号: NTHD2102PT1

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  • 工厂交货时间
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  • 引脚数
  • 质量
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 包装
  • 系列
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • 端子表面处理
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 基本部件号
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 反馈上限-最大值 (Crss)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 器件厚度
  • 达到SVHC
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 已出版
  • 电压 - 额定直流
  • 最大功率耗散
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • Reach合规守则
  • 额定电流
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 引脚数量
  • 资历状况
  • 配置
  • 功率耗散
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
  • Texas Instruments
    CSD23203WT
    Texas Instruments
    MOSFET CSD23203W 8V P-Ch NexFET Power MOSFET
    ACTIVE (Last Updated: 5 days ago)
    6 Weeks
    Copper, Silver, Tin
    表面贴装
    表面贴装
    6-UFBGA, DSBGA
    6
    1.700971mg
    SILICON
    3A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    NexFET™
    e1
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
    BOTTOM
    BALL
    CSD23203
    Single
    增强型MOSFET
    14 ns
    P-Channel
    SWITCHING
    19.4m Ω @ 1.5A, 4.5V
    1.1V @ 250μA
    914pF @ 4V
    6.3nC @ 4.5V
    12ns
    8V
    27 ns
    3A
    -800mV
    -6V
    3A
    0.053Ohm
    -8V
    172 pF
    1mm
    1.5mm
    1.8mm
    2mm
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    NTHD2102PT1
    ON Semiconductor
    MOSFET 2P-CH 8V 3.4A CHIPFET
    OBSOLETE (Last Updated: 2 days ago)
    -
    -
    表面贴装
    表面贴装
    8-SMD, Flat Lead
    8
    -
    SILICON
    2
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    -
    e0
    no
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    8
    -
    -
    C 弯管
    NTHD2102P
    -
    增强型MOSFET
    -
    2 P-Channel (Dual)
    SWITCHING
    58m Ω @ 3.4A, 4.5V
    1.5V @ 250μA
    715pF @ 6.4V
    16nC @ 2.5V
    20ns
    -
    20 ns
    3.4A
    -
    8V
    -
    -
    -8V
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    Non-RoHS Compliant
    含铅
    2005
    -8V
    1.1W
    240
    not_compliant
    -3.4A
    30
    8
    不合格
    SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
    1.1W
    4.6A
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
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