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CSD23280F3备选型号: MCH3382-TL-W
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- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子位置
- 基本部件号
- 元素配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 连续放电电流(ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- DS 击穿电压-最小值
- 反馈上限-最大值 (Crss)
- 长度
- 宽度
- 器件厚度
- RoHS状态
- 无铅
- 已出版
- JESD-609代码
- 端子表面处理
- Reach合规守则
MOSFET P-CH 12V 1.8A PICOSTARACTIVE (Last Updated: 1 day ago)6 Weeks表面贴装表面贴装3-SMD, No Lead3SILICON1.8A Ta-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)FemtoFET™yes活跃1 (Unlimited)3EAR99BOTTOMCSD23280Single增强型MOSFETDRAINP-ChannelSWITCHING116m Ω @ 400mA, 4.5V0.95V @ 250μA234pF @ 6V1.23nC @ 4.5V12V-6V1.8A0.25Ohm11.4A12V11.1 pF690μm600μm345μmROHS3 Compliant无铅----
MOSFET P-CH 12V 2A MCPH3-4 Weeks表面贴装表面贴装3-SMD, Flat Lead--2A Ta150°C TJTape & Reel (TR)-yesObsolete1 (Unlimited)-------P-Channel-198m Ω @ 1A, 4.5V900mV @ 1mA170pF @ 6V2.3nC @ 4.5V12V±9V2A-------符合RoHS标准无铅2017e6Tin/Bismuth (Sn/Bi)unknown- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | DMN1150UFB-7B | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | 3-UFDFN | MOSFET N-CH 12V 1.41A 3DFN | 对比 |
| MCH3382-TL-W | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | 3-SMD, Flat Lead | MOSFET P-CH 12V 2A MCPH3 | 对比 |
 | DMP1100UCB4-7 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | 4-UFBGA, WLBGA | MOSFET P-CHA 12V 2.5A WLB0808 | 对比 |
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