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首页 全部分类 CSD23381F4 vs NTHD4401PT1

CSD23381F4备选型号: NTHD4401PT1

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  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
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  • 栅极至源极电压(Vgs)
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  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 晶体管元件材料
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 终止次数
  • 端子表面处理
  • 电压 - 额定直流
  • 最大功率耗散
  • Reach合规守则
  • 额定电流
  • 引脚数量
  • 资历状况
  • 配置
  • 晶体管应用
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
  • 反馈上限-最大值 (Crss)
  • Texas Instruments
    CSD23381F4
    Texas Instruments
    MOSFET P-CH 12V 3PICOSTAR
    ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
    6 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    3-XFDFN
    3
    2.3A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    NexFET™
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    BOTTOM
    无铅
    260
    未说明
    CSD23381
    1
    Single
    -0.95
    500mW
    4.5 ns
    P-Channel
    175m Ω @ 500mA, 4.5V
    1.2V @ 250μA
    236pF @ 6V
    1.14nC @ 4.5V
    3.9ns
    12V
    7 ns
    2.3A
    -8V
    -12V
    350μm
    1.035mm
    635μm
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    NTHD4401PT1
    ON Semiconductor
    MOSFET 2P-CH 20V 2.1A CHIPFET
    -
    -
    表面贴装
    表面贴装
    8-SMD, Flat Lead
    8
    2
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    -
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    EAR99
    -
    C 弯管
    240
    30
    NTHD4401P
    -
    -
    增强型MOSFET
    1.1W
    -
    2 P-Channel (Dual)
    155m Ω @ 2.1A, 4.5V
    1.2V @ 250μA
    300pF @ 10V
    6nC @ 4.5V
    13ns
    20V
    13 ns
    2.1A
    12V
    -20V
    -
    -
    -
    Non-RoHS Compliant
    含铅
    SILICON
    2005
    e0
    8
    Tin/Lead (Sn/Pb)
    -20V
    1.1W
    not_compliant
    -2.1A
    8
    不合格
    SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
    SWITCHING
    0.155Ohm
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    50 pF
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