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首页 全部分类 CSD25404Q3 vs IRFR3711TRLPBF

CSD25404Q3备选型号: IRFR3711TRLPBF

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  • 元素配置
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  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
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  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
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  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏极-源极导通最大电阻
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  • DS 击穿电压-最小值
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  • 宽度
  • 器件厚度
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 已出版
  • 端子表面处理
  • 电压 - 额定直流
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 额定电流
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • JESD-30代码
  • 配置
  • 功率耗散
  • JEDEC-95代码
  • 漏源击穿电压
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 高度
  • 辐射硬化
  • Texas Instruments
    CSD25404Q3
    Texas Instruments
    MOSFET P-CH 20V 104A 8VSON
    ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
    12 Weeks
    Tin
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerVDFN
    8
    SILICON
    104A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    NexFET™
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    DUAL
    无铅
    not_compliant
    CSD25404
    Single
    增强型MOSFET
    SOURCE
    13 ns
    P-Channel
    SWITCHING
    6.5m Ω @ 10A, 4.5V
    1.15V @ 250μA
    2120pF @ 10V
    14.1nC @ 4.5V
    8ns
    20V
    ±12V
    13 ns
    104A
    12V
    0.0121Ohm
    240A
    20V
    3.3mm
    3.3mm
    1mm
    ROHS3 Compliant
    含铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRFR3711TRLPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 20V 100A DPAK
    -
    14 Weeks
    -
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    SILICON
    100A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    e3
    -
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    SINGLE
    鸥翼
    -
    -
    -
    增强型MOSFET
    DRAIN
    12 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    6.5m Ω @ 15A, 10V
    3V @ 250μA
    2980pF @ 10V
    44nC @ 4.5V
    220ns
    -
    ±20V
    12 ns
    110A
    20V
    0.0065Ohm
    440A
    -
    6.7056mm
    6.22mm
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    2004
    Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
    20V
    260
    110A
    30
    R-PSSO-G2
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    120W
    TO-252AA
    20V
    460 mJ
    2.3876mm
    无
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