CSD75204W15备选型号: FDN335N
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- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 最大功率耗散
- 端子位置
- 终端形式
- 基本部件号
- 引脚数量
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏源击穿电压
- 场效应管技术
- 场效应管特性
- 漏源电阻
- 栅源电压
- 反馈上限-最大值 (Crss)
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 触点镀层
- 制造商包装标识符
- 已出版
- JESD-609代码
- 终端
- ECCN 代码
- 电阻
- 电压 - 额定直流
- 额定电流
- 电压
- 电流
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- Vgs(最大值)
- 双电源电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- DUAL P CH POWER MOSFET, -20V, -3A, DSBGA-9 - More Details表面贴装表面贴装9-UFBGA, DSBGA9SILICON3A-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)NexFET™noObsolete1 (Unlimited)9700mWBOTTOMBALLCSD752049Dual增强型MOSFET700mW7.8 ns2 P-Channel (Dual)SWITCHING900mV @ 250μA410pF @ 10V3.9nC @ 4.5V6.7ns20V26 ns-3A-700mV-6V3A-20VMETAL-OXIDE SEMICONDUCTOR逻辑电平门80mOhm-700 mV55 pF无SVHC无ROHS3 Compliant含铅-------------------
- ON SEMICONDUCTOR - FDN335N - Power MOSFET, N Channel, 20 V, 1.7 A, 0.055 ohm, SOT-23, Surface Mount表面贴装表面贴装TO-236-3, SC-59, SOT-23-33SILICON1.7A Ta-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)PowerTrench®yes活跃1 (Unlimited)3-DUAL鸥翼--Single增强型MOSFET500mW5 nsN-ChannelSWITCHING1.5V @ 250μA310pF @ 10V5nC @ 4.5V8.5ns-8.5 ns1.7A900mV8V-20V---800 mV-无SVHC无ROHS3 Compliant无铅ACTIVE (Last Updated: 5 days ago)10 WeeksTinCASE 527AG-011999e3SMD/SMTEAR9970MOhm20V1.7A20V17A70m Ω @ 1.7A, 4.5V±8V25V940μm2.92mm3.05mm
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | DMG3415U-7 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET P-CH 20V 4A SOT-23 | 对比 |
![]() | DMN2065UW-7 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | SC-70, SOT-323 | MOSFET N CH 20V 2.8A SOT323 | 对比 |






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