Texas Instruments CSD75204W15

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

9-UFBGA, DSBGA

引脚数

9

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

3A

Number of Elements

2

Turn Off Delay Time

45 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

NexFET™

无铅代码

no

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

9

最大功率耗散

700mW

端子位置

BOTTOM

终端形式

BALL

基本部件号

CSD75204

引脚数量

9

元素配置

Dual

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

700mW

接通延迟时间

7.8 ns

场效应管类型

2 P-Channel (Dual)

晶体管应用

SWITCHING

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

900mV @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

410pF @ 10V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

3.9nC @ 4.5V

上升时间

6.7ns

漏源电压 (Vdss)

20V

下降时间（典型值）

26 ns

连续放电电流(ID)

-3A

阈值电压

-700mV

栅极至源极电压(Vgs)

-6V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

3A

漏源击穿电压

-20V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

逻辑电平门

漏源电阻

80mOhm

栅源电压

-700 mV

反馈上限-最大值 (Crss)

55 pF

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

含铅