CSD75205W1015备选型号: DMP2160UW-7

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  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
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  • 栅极至源极电压(Vgs)
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  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
  • 反馈上限-最大值 (Crss)
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  • RoHS状态
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  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 电阻
  • 端子表面处理
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  • 通道数量
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  • 宽度
  • 辐射硬化
  • Texas Instruments
    DUAL P CH POWER MOSFET, -20V, -1.2A, DSBGA-6 - More Details
    表面贴装
    表面贴装
    6-UFBGA, DSBGA
    6
    SILICON
    2
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    NexFET™
    no
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    750mW
    BOTTOM
    BALL
    未说明
    未说明
    CSD75205
    6
    不合格
    Dual
    增强型MOSFET
    750mW
    6.3 ns
    2 P-Channel (Dual)
    SWITCHING
    120m Ω @ 1A, 4.5V
    850mV @ 250μA
    265pF @ 10V
    2.2nC @ 4.5V
    5.3ns
    20V
    17 ns
    1.2A
    -650mV
    -6V
    0.18Ohm
    -20V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    33 pF
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    含铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Diodes Incorporated
    MOSFET SINGLE P-CHANNEL
    表面贴装
    表面贴装
    SC-70, SOT-323
    3
    SILICON
    1.5A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    -
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    -
    DUAL
    鸥翼
    -
    -
    -
    3
    -
    Single
    增强型MOSFET
    350mW
    -
    P-Channel
    SWITCHING
    100m Ω @ 1.5A, 4.5V
    900mV @ 250μA
    627pF @ 10V
    -
    -
    20V
    -
    -1.5A
    -600mV
    12V
    -
    -20V
    -
    -
    -
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    无铅
    6.010099mg
    2008
    e3
    100mOhm
    Matte Tin (Sn)
    HIGH RELIABILITY
    1
    ±12V
    150°C
    1.1mm
    2.15mm
    1.3mm
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