FDG326P
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ON Semiconductor FDG326P

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型号

FDG326P

utmel 编号

1807-FDG326P

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 单个

封装

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

交货地

大陆

交期(工作日)

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ROHS

ECAD

简介

MOSFET P-CH 20V 1.5A SC70-6

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FDG326P
FDG326P ON Semiconductor MOSFET P-CH 20V 1.5A SC70-6

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FDG326P详情

ON Semiconductor FDG326P重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 底架

    表面贴装

  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    6-TSSOP, SC-88, SOT-363

  • 引脚数

    6

  • 供应商器件包装

    SC-88 (SC-70-6)

  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

    1.5A Ta

  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

    1.8V 4.5V

  • Number of Elements

    1

  • Power Dissipation (Max)

    750mW Ta

  • Turn Off Delay Time

    18 ns

  • 操作温度

    -55°C~150°C TJ

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 系列

    PowerTrench®

  • 已出版

    2001

  • 零件状态

    Obsolete

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 最高工作温度

    150°C

  • 最小工作温度

    -55°C

  • 电压 - 额定直流

    -20V

  • 额定电流

    -1.5A

  • 功率耗散

    750mW

  • 场效应管类型

    P-Channel

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    140mOhm @ 1.5A, 4.5V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    1.5V @ 250μA

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    467pF @ 10V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    7nC @ 4.5V

  • 上升时间

    13ns

  • 漏源电压 (Vdss)

    20V

  • Vgs(最大值)

    ±8V

  • 下降时间(典型值)

    13 ns

  • 连续放电电流(ID)

    1.5A

  • 栅极至源极电压(Vgs)

    8V

  • 漏源击穿电压

    -20V

  • 输入电容

    467pF

  • 漏源电阻

    140mOhm

  • 最大rds

    140 mΩ

  • RoHS状态

    符合RoHS标准

  • 无铅

    无铅

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