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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥1.739765
10
¥1.641291
100
¥1.54839
500
¥1.460742
1000
¥1.378059
ON Semiconductor FDG326P
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- 对比
FDG326P
1807-FDG326P
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
大陆
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MOSFET P-CH 20V 1.5A SC70-6
--最小包装量--
¥
总价: ¥
FDG326P详情
ON Semiconductor FDG326P重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
引脚数
6
供应商器件包装
SC-88 (SC-70-6)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
1.5A Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V 4.5V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
750mW Ta
Turn Off Delay Time
18 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
PowerTrench®
已出版
2001
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-55°C
电压 - 额定直流
-20V
额定电流
-1.5A
功率耗散
750mW
场效应管类型
P-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
140mOhm @ 1.5A, 4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1.5V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
467pF @ 10V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
7nC @ 4.5V
上升时间
13ns
漏源电压 (Vdss)
20V
Vgs(最大值)
±8V
下降时间(典型值)
13 ns
连续放电电流(ID)
1.5A
栅极至源极电压(Vgs)
8V
漏源击穿电压
-20V
输入电容
467pF
漏源电阻
140mOhm
最大rds
140 mΩ
RoHS状态
符合RoHS标准
无铅
无铅
FDG326P拓展信息
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor







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