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CSD75208W1015T备选型号: FDN335N
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- JESD-609代码
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- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 端子表面处理
- 最大功率耗散
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- 通道数量
- 元素配置
- 操作模式
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 漏源击穿电压
- 场效应管技术
- 场效应管特性
- 反馈上限-最大值 (Crss)
- 高度
- 长度
- 宽度
- 器件厚度
- 达到SVHC
- RoHS状态
- 无铅
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- 额定电流
- 电压
- 电流
- 功率耗散
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- 栅源电压
- 辐射硬化
TEXAS INSTRUMENTS CSD75208W1015TDual MOSFET, Dual P Channel, -1.6 A, -20 V, 0.056 ohm, -4.5 V, -800 mVACTIVE (Last Updated: 1 week ago)6 Weeks表面贴装表面贴装6-UFBGA, DSBGA61.700971mgSILICON2-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)NexFET™e1yes活跃1 (Unlimited)6Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)750mWBOTTOMBALL260未说明CSD752072Dual增强型MOSFET9 ns2 P-Channel (Dual) Common SourceSWITCHING68m Ω @ 1A, 4.5V1.1V @ 250μA410pF @ 10V2.5nC @ 4.5V5ns20V11 ns1.6A-800mV-6V0.15Ohm-20VMETAL-OXIDE SEMICONDUCTOR逻辑电平门10 pF1mm1.5mm1.8mm2mm无SVHCROHS3 Compliant无铅---------------
ON SEMICONDUCTOR - FDN335N - Power MOSFET, N Channel, 20 V, 1.7 A, 0.055 ohm, SOT-23, Surface MountACTIVE (Last Updated: 5 days ago)10 Weeks表面贴装表面贴装TO-236-3, SC-59, SOT-23-33-SILICON1.7A Ta-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)PowerTrench®e3yes活跃1 (Unlimited)3--DUAL鸥翼----Single增强型MOSFET5 nsN-ChannelSWITCHING70m Ω @ 1.7A, 4.5V1.5V @ 250μA310pF @ 10V5nC @ 4.5V8.5ns-8.5 ns1.7A900mV8V-20V---940μm2.92mm3.05mm-无SVHCROHS3 Compliant无铅TinCASE 527AG-011999SMD/SMTEAR9970MOhm20V1.7A20V17A500mW±8V25V800 mV无- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| FDN335N | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | ON SEMICONDUCTOR - FDN335N - Power MOSFET, N Channel, 20 V, 1.7 A, 0.055 ohm, SOT-23, Surface Mount | 对比 |
 | FDC6327C | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | ON SEMICONDUCTOR - FDC6327C - Dual MOSFET, Complementary N and P Channel, 20 V, 2.7 A, 0.069 ohm, SuperSOT, Surface Mount | 对比 |
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