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CSD75211W1723备选型号: FDZ293P
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- 品牌:
- 描述:
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 最大功率耗散
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 基本部件号
- 引脚数量
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 漏源击穿电压
- 场效应管技术
- 场效应管特性
- 栅源电压
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 已出版
- 电压 - 额定直流
- 额定电流
- Vgs（最大值）
MOSFET Dual P-Channel Nex FET Power MOSFET表面贴装表面贴装12-UFBGA, DSBGA12SILICON2-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)NexFET™e1noObsolete1 (Unlimited)12EAR99Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)1.5WBOTTOMBALL260CSD7521112Dual增强型MOSFET1.5W3.7 ns2 P-Channel (Dual)SWITCHING40m Ω @ 2A, 4.5V1.1V @ 250μA600pF @ 10V5.9nC @ 4.5V4.1ns20V1.6 ns4.5A-700mV8V0.07Ohm20VMETAL-OXIDE SEMICONDUCTOR逻辑电平门-700 mV无SVHC无ROHS3 Compliant含铅----
Trans MOSFET P-CH 20V 4.6A 9-Pin BGA T/R表面贴装表面贴装9-VFBGA9-4.6A Ta-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)PowerTrench®--Obsolete1 (Unlimited)---------Single-1.7W-P-Channel-46m Ω @ 4.6A, 4.5V1.5V @ 250μA754pF @ 10V11nC @ 4.5V10ns20V10 ns4.6A-12V--20V-----符合RoHS标准无铅2006-20V-4.6A±12V- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|
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