FDZ293P
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ON Semiconductor FDZ293P

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型号

FDZ293P

utmel 编号

1807-FDZ293P

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 单个

封装

9-VFBGA

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Trans MOSFET P-CH 20V 4.6A 9-Pin BGA T/R

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FDZ293P
FDZ293P ON Semiconductor Trans MOSFET P-CH 20V 4.6A 9-Pin BGA T/R

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FDZ293P详情

ON Semiconductor FDZ293P重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 底架

    表面贴装

  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    9-VFBGA

  • 引脚数

    9

  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

    4.6A Ta

  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

    2.5V 4.5V

  • Number of Elements

    1

  • Power Dissipation (Max)

    1.7W Ta

  • Turn Off Delay Time

    22 ns

  • 操作温度

    -55°C~150°C TJ

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 系列

    PowerTrench®

  • 已出版

    2006

  • 零件状态

    Obsolete

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 电压 - 额定直流

    -20V

  • 额定电流

    -4.6A

  • 元素配置

    Single

  • 功率耗散

    1.7W

  • 场效应管类型

    P-Channel

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    46m Ω @ 4.6A, 4.5V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    1.5V @ 250μA

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    754pF @ 10V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    11nC @ 4.5V

  • 上升时间

    10ns

  • 漏源电压 (Vdss)

    20V

  • Vgs(最大值)

    ±12V

  • 下降时间(典型值)

    10 ns

  • 连续放电电流(ID)

    4.6A

  • 栅极至源极电压(Vgs)

    12V

  • 漏源击穿电压

    -20V

  • RoHS状态

    符合RoHS标准

  • 无铅

    无铅

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右边的3个型号有着和ON Semiconductor & FDZ293P相似的参数规格。

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    品牌
    Mount
    Package / Case
    Drain to Source Voltage (Vdss)
    Continuous Drain Current (ID)
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    Gate to Source Voltage (Vgs)
    Power Dissipation
    Power Dissipation-Max
    查看对比:
  • FDZ293P

    FDZ293P

    Surface Mount

    9-VFBGA

    20V

    4.6 A

    4.6A (Ta)

    12 V

    1.7 W

    1.7W (Ta)

  • FDZ202P

    Surface Mount

    4-UFBGA

    20V

    5.4 A

    -

    12 V

    1.8 W

    780mW (Ta), 1.8W (Tc)

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FDZ293P拓展信息

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