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首页 全部分类 CSD86360Q5D vs PSMN6R1-25MLDX

CSD86360Q5D备选型号: PSMN6R1-25MLDX

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  • 功能数量
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  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 基本部件号
  • 输入电压-Nom
  • 通道数量
  • 模拟 IC - 其他类型
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
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  • 下降时间（典型值）
  • 切换器配置
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  • 栅极至源极电压(Vgs)
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  • 场效应管特性
  • 漏源电阻
  • 高度
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  • 宽度
  • 器件厚度
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  • RoHS状态
  • 无铅
  • 晶体管元件材料
  • 已出版
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  • 引脚数量
  • 参考标准
  • JESD-30代码
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  • 箱体转运
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • Vgs（最大值）
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • DS 击穿电压-最小值
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • Texas Instruments
    CSD86360Q5D
    Texas Instruments
    25V, Nch synchronous buck NexFET MOSFET™, SON5x6 PowerBlock, 50A 8-LSON-CLIP -55 to 150
    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
    6 Weeks
    Gold
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerLDFN
    8
    29.3 ns
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    NexFET™
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    13W
    DUAL
    无铅
    260
    1
    not_compliant
    未说明
    CSD86360
    12V
    2
    开关稳压器
    9.5 ns
    2 N-Channel (Half Bridge)
    2.1V @ 250μA
    2060pF @ 12.5
    12.6nC @ 4.5V
    14.8ns
    50mA
    25V
    6.6 ns
    BUCK
    50A
    10V
    1500kHz
    25V
    逻辑电平门
    3.7mOhm
    1.5mm
    5mm
    6mm
    1.5mm
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    含铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Nexperia USA Inc.
    PSMN6R1-25MLDX
    Nexperia USA Inc.
    PSMN6R1-25MLD/MLFPAK/REEL 7 Q
    -
    26 Weeks
    -
    表面贴装
    表面贴装
    SOT-1210, 8-LFPAK33
    -
    42W Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    -
    -
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    4
    -
    -
    -
    SINGLE
    鸥翼
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    N-Channel
    2.2V @ 1mA
    702pF @ 12V
    10.7nC @ 10V
    -
    -
    25V
    -
    -
    60A
    -
    -
    -
    Schottky Diode (Body)
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    -
    SILICON
    2016
    HIGH RELIABILITY
    8
    IEC-60134
    R-PSSO-G4
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    SWITCHING
    7.24m Ω @ 15A, 10V
    ±20V
    0.0103Ohm
    235A
    25V
    51.3 mJ
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