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首页 全部分类 CSD87331Q3D vs FDMA6023PZT

CSD87331Q3D备选型号: FDMA6023PZT

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  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 生命周期状态
  • 工厂交货时间
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 操作温度
  • 包装
  • 系列
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 最大功率耗散
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 功能数量
  • 端子间距
  • 基本部件号
  • 引脚数量
  • 输入电压-Nom
  • 模拟 IC - 其他类型
  • 元素配置
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 输入电压(Min)
  • 场效应管类型
  • 输出电流-最大值
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 供应电流-最大值(Isup)
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 下降时间（典型值）
  • 切换器配置
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 开关频率-最大值
  • 漏源击穿电压
  • 场效应管特性
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 器件厚度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 质量
  • 晶体管元件材料
  • 已出版
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 功率 - 最大
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 场效应管技术
  • 栅源电压
  • 反馈上限-最大值 (Crss)
  • Texas Instruments
    CSD87331Q3D
    Texas Instruments
    MOSFET 2N-CH 30V 15A 8SON
    ACTIVE (Last Updated: 5 days ago)
    6 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerLDFN
    8
    11.2 ns
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    NexFET™
    e4
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
    6W
    260
    1
    0.65mm
    CSD87331
    8
    27V
    开关控制器
    Dual
    6W
    3.8 ns
    12V
    2 N-Channel (Half Bridge)
    45A
    2.1V, 1.2V @ 250μA
    518pF @ 15V
    3.2nC @ 4.5V
    4.7ns
    15mA
    30V
    2.4 ns
    PUSH-PULL
    15A
    2.1V
    1.2V
    1500kHz
    30V
    Standard
    1.5mm
    3.3mm
    3.3mm
    1.5mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    含铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDMA6023PZT
    ON Semiconductor
    Supplied as a Tape, Dual P-Channel MOSFET, 3.6 A, 20 V, 6-Pin MLP ON Semiconductor FDMA6023PZT
    ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
    16 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    6-UDFN Exposed Pad
    6
    3.6A
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    e4
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
    1.4W
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    Dual
    1.4W
    13 ns
    -
    2 P-Channel (Dual)
    -
    1.5V @ 250μA
    885pF @ 10V
    17nC @ 4.5V
    11ns
    -
    -
    11 ns
    -
    -3.6A
    -500mV
    8V
    -
    20V
    逻辑电平门
    500μm
    2mm
    2mm
    -
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    40mg
    SILICON
    2008
    增强型MOSFET
    DRAIN
    700mW
    SWITCHING
    60m Ω @ 3.6A, 4.5V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    -500 mV
    150 pF
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