ON Semiconductor FDMA6023PZT
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FDMA6023PZT
1807-FDMA6023PZT
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
6-UDFN Exposed Pad
大陆
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Supplied as a Tape, Dual P-Channel MOSFET, 3.6 A, 20 V, 6-Pin MLP ON Semiconductor FDMA6023PZT
--最小包装量--
FDMA6023PZT详情
ON Semiconductor FDMA6023PZT重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
工厂交货时间
16 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
6-UDFN Exposed Pad
引脚数
6
质量
40mg
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
3.6A
Number of Elements
2
Turn Off Delay Time
75 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
PowerTrench®
已出版
2008
JESD-609代码
e4
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
6
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
最大功率耗散
1.4W
元素配置
Dual
操作模式
增强型MOSFET
功率耗散
1.4W
箱体转运
DRAIN
接通延迟时间
13 ns
功率 - 最大
700mW
场效应管类型
2 P-Channel (Dual)
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
60m Ω @ 3.6A, 4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1.5V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
885pF @ 10V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
17nC @ 4.5V
上升时间
11ns
下降时间(典型值)
11 ns
连续放电电流(ID)
-3.6A
阈值电压
-500mV
栅极至源极电压(Vgs)
8V
漏源击穿电压
20V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
场效应管特性
逻辑电平门
栅源电压
-500 mV
反馈上限-最大值 (Crss)
150 pF
高度
500μm
长度
2mm
宽度
2mm
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
FDMA6023PZT拓展信息








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