CSD87334Q3D备选型号: FDMS0310AS
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 触点镀层
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 操作温度
- 包装
- 系列
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 最大功率耗散
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 功能数量
- 端子间距
- Reach合规守则
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- 输入电压-Nom
- 模拟 IC - 其他类型
- 功率 - 最大
- 场效应管类型
- 输入电压(最大)
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 控制技术
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 供应电流-最大值(Isup)
- 漏源电压 (Vdss)
- 切换器配置
- 连续放电电流(ID)
- 开关频率-最大值
- 场效应管特性
- 长度
- 座位高度(最大)
- 宽度
- 器件厚度
- RoHS状态
- 无铅
- 质量
- 晶体管元件材料
- 端子位置
- JESD-30代码
- 元素配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 晶体管应用
- 上升时间
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- JEDEC-95代码
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 雪崩能量等级(Eas)
- MOSFET 2N-CH 30V 20A 8SONACTIVE (Last Updated: 3 days ago)8 WeeksGold表面贴装表面贴装8-PowerTDFN8-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)NexFET™e3yes活跃1 (Unlimited)8EAR99Matte Tin (Sn)6W无铅26010.65mmnot_compliant未说明CSD8733412V开关控制器6W2 N-Channel (Dual) Asymmetrical24V6m Ω @ 12A, 8V1.2V @ 250μA脉宽调制1260pF @ 15V8.3nC @ 4.5V20mA30VBUCK20A1500kHz逻辑电平门3.3mm1.05mm3.3mm900μmROHS3 Compliant含铅--------------------
- MOSFET Gaming/DT/Notebook/NVDC/ServerACTIVE (Last Updated: 1 week ago)26 Weeks-表面贴装表面贴装8-PowerTDFN8-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)PowerTrench®, SyncFET™e3yes活跃1 (Unlimited)5EAR99Tin (Sn)-FLAT未说明--not_compliant未说明----N-Channel-4.3m Ω @ 19A, 10V3V @ 1mA-2280pF @ 15V37nC @ 10V---22A------ROHS3 Compliant-74mgSILICON19A Ta 22A TcDUALR-PDSO-F5Single增强型MOSFETDRAIN9 nsSWITCHING3.9ns±20V3.2 nsMO-240AA20V19A0.0043Ohm30V100A33 mJ
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| NTTFS4824NTAG | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-PowerWDFN | MOSFET NFET U8FL 30V 69A 7.5mOhm | 对比 | |
![]() | FDMC0310AS | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-PowerWDFN | MOSFET | 对比 |
![]() | DMT3004LFG-7 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-PowerVDFN | MOSFET NCH 30V 10.4A POWERDI | 对比 |





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