ON Semiconductor FDMC0310AS

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)

工厂交货时间

23 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-PowerWDFN

引脚数

8

质量

165.33333mg

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

19A Ta 21A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

2.4W Ta 36W Tc

Turn Off Delay Time

30 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

PowerTrench®, SyncFET™

JESD-609代码

e4

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

5

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Nickel/Palladium/Gold/Silver (Ni/Pd/Au/Ag)

端子位置

DUAL

终端形式

FLAT

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

时间@峰值回流温度-最大值(s)

30

JESD-30代码

R-PDSO-F5

通道数量

1

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

2.4W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

11 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

4.4m Ω @ 19A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

3V @ 1mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

3165pF @ 15V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

52nC @ 10V

上升时间

5ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

4 ns

连续放电电流(ID)

21A

JEDEC-95代码

MO-240AA

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏极-源极导通最大电阻

0.0043Ohm

漏源击穿电压

30V

雪崩能量等级（Eas）

33 mJ

高度

800μm

长度

3.3mm

宽度

3.3mm

RoHS状态

ROHS3 Compliant