CSD87334Q3DT备选型号: IRLR8726PBF
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- 描述:
- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 触点镀层
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 操作温度
- 包装
- 系列
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 端子表面处理
- 最大功率耗散
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 功能数量
- 端子间距
- Reach合规守则
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- 输入电压-Nom
- 模拟 IC - 其他类型
- 场效应管类型
- 输入电压(最大)
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 控制技术
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 供应电流-最大值(Isup)
- 漏源电压 (Vdss)
- 切换器配置
- 开关频率-最大值
- 场效应管特性
- 长度
- 座位高度(最大)
- 宽度
- 器件厚度
- RoHS状态
- 无铅
- 已出版
- 终端
- ECCN 代码
- 电阻
- 元素配置
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 上升时间
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 双电源电压
- 恢复时间
- 栅源电压
- 高度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- MOSFET 2N-CH 30V 20A 8SONACTIVE (Last Updated: 5 days ago)8 WeeksGold表面贴装表面贴装8-PowerTDFN8-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)NexFET™e3yes活跃1 (Unlimited)8Matte Tin (Sn)6W无铅26010.65mmnot_compliant未说明CSD8733412V开关控制器2 N-Channel (Dual) Asymmetrical24V6m Ω @ 12A, 8V1.2V @ 250μA脉宽调制1260pF @ 15V8.3nC @ 4.5V20mA30VBUCK1500kHzStandard3.3mm1.05mm3.3mm900μmROHS3 Compliant含铅---------------------
- MOSFET N-CH 30V 86A DPAK-12 Weeks-表面贴装表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-633-55°C~175°C TJTubeHEXFET®--Discontinued1 (Unlimited)------------N-Channel-5.8m Ω @ 25A, 10V2.35V @ 50μA-2150pF @ 15V23nC @ 4.5V-----6.7056mm-6.22mm-ROHS3 Compliant无铅86A Tc2004SMD/SMTEAR995.8MOhmSingle75W12 ns49ns±20V16 ns86A1.8V20V30V30V36 ns1.8 V2.3876mm无SVHC无
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IRF8736TRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET N-CH 30V 18A 8-SOIC | 对比 |
![]() | IRLR8726PBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET N-CH 30V 86A DPAK | 对比 |
![]() | IRLR8726TRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET N-CH 30V 86A DPAK | 对比 |





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