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CSD87502Q2T备选型号: FDS6912A
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- 品牌:
- 描述:
- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 端子表面处理
- 附加功能
- 最大功率耗散
- 终端形式
- 基本部件号
- 元素配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- DS 击穿电压-最小值
- 雪崩能量等级（Eas）
- 场效应管技术
- 场效应管特性
- 反馈上限-最大值 (Crss)
- 长度
- 宽度
- 器件厚度
- 达到SVHC
- RoHS状态
- 无铅
- 质量
- 已出版
- 终端
- ECCN 代码
- 电阻
- 电压 - 额定直流
- 额定电流
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 功率 - 最大
- 上升时间
- 下降时间（典型值）
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 双电源电压
- 高度
- 辐射硬化
MOSFET 2N-CH 30V 5A 6WSONACTIVE (Last Updated: 6 days ago)12 Weeks表面贴装表面贴装6-WDFN Exposed Pad6SILICON2-55°C~150°C TJCut Tape (CT)NexFET™e3yes活跃1 (Unlimited)6Matte Tin (Sn)雪崩 额定2.3W无铅CSD87502Dual增强型MOSFETDRAIN2 N-Channel (Dual)SWITCHING32.4m Ω @ 4A, 10V2V @ 250μA353pF @ 15V6nC @ 10V30V5A1.6V5A23A30V3.1 mJMETAL-OXIDE SEMICONDUCTORLogic Level Gate, 5V Drive29 pF2mm2mm750μm无SVHCROHS3 Compliant无铅-----------------
MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOICACTIVE (Last Updated: 2 days ago)10 Weeks表面贴装表面贴装8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)8SILICON23 ns-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)PowerTrench®e3yes活跃1 (Unlimited)8Tin (Sn)逻辑电平兼容1.6W鸥翼-Dual增强型MOSFET-2 N-Channel (Dual)SWITCHING28m Ω @ 6A, 10V3V @ 250μA575pF @ 15V8.1nC @ 5V-6A1.9V6A---METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR逻辑电平门-5mm4mm-无SVHCROHS3 Compliant无铅187mg2003SMD/SMTEAR9928MOhm30V6A1.6W8 ns900mW5ns5 ns20V30V30V1.5mm无- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | DMN3404L-7 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT-23 | 对比 |
 | NTMD6N03R2G | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOIC | 对比 |
 | IRLML0030TRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET N-CH 30V 5.3A SOT-23-3 | 对比 |
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