Texas Instruments CSD87502Q2T

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 6 days ago)

工厂交货时间

12 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

6-WDFN Exposed Pad

引脚数

6

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

2

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Cut Tape (CT)

系列

NexFET™

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

6

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

附加功能

雪崩 额定

最大功率耗散

2.3W

终端形式

无铅

基本部件号

CSD87502

元素配置

Dual

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

2 N-Channel (Dual)

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

32.4m Ω @ 4A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

353pF @ 15V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

6nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

30V

连续放电电流(ID)

5A

阈值电压

1.6V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

5A

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

23A

DS 击穿电压-最小值

30V

雪崩能量等级（Eas）

3.1 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

Logic Level Gate, 5V Drive

反馈上限-最大值 (Crss)

29 pF

长度

2mm

宽度

2mm

器件厚度

750μm

达到SVHC

无SVHC

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅