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首页 全部分类 CSD88537ND vs IRF7351TRPBF

CSD88537ND备选型号: IRF7351TRPBF

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  • 附加功能
  • 最大功率耗散
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 基本部件号
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
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  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 器件厚度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 已出版
  • 端子表面处理
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • Texas Instruments
    CSD88537ND
    Texas Instruments
    MOSFET 2N-CH 60V 15A 8SOIC
    ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
    6 Weeks
    Gold
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    540.001716mg
    SILICON
    2
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    NexFET™
    e4
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    雪崩 额定
    2.1W
    鸥翼
    260
    CSD88537
    Dual
    增强型MOSFET
    2.1W
    6 ns
    2 N-Channel (Dual)
    SWITCHING
    15m Ω @ 8A, 10V
    3.6V @ 250μA
    1400pF @ 30V
    18nC @ 10V
    15ns
    60V
    19 ns
    15A
    3V
    20V
    8A
    0.019Ohm
    60V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    Standard
    1.75mm
    4.9mm
    3.91mm
    1.58mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRF7351TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET 2N-CH 60V 8A 8-SOIC
    -
    12 Weeks
    -
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    -
    SILICON
    2
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    e3
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    -
    2W
    鸥翼
    -
    IRF7351PBF
    Dual
    增强型MOSFET
    2W
    5.1 ns
    2 N-Channel (Dual)
    SWITCHING
    17.8m Ω @ 8A, 10V
    4V @ 50μA
    1330pF @ 30V
    36nC @ 10V
    5.9ns
    60V
    6.7 ns
    8A
    -
    20V
    8A
    -
    60V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    1.4986mm
    4.9784mm
    3.9878mm
    -
    -
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    2009
    Matte Tin (Sn)
    64A
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