CY15B104Q-SXI备选型号: FM25V10-G
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 工厂交货时间
- 安装类型
- 包装/外壳
- 表面安装
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- HTS代码
- 电压 - 供电
- 端子位置
- 功能数量
- 电源电压
- 端子间距
- JESD-30代码
- 电源电压-最大值(Vsup)
- 电源电压-最小值(Vsup)
- 内存大小
- 操作模式
- 时钟频率
- 内存格式
- 内存接口
- 组织结构
- 内存宽度
- 记忆密度
- 环境温度范围高
- 高度
- 长度
- 宽度
- RoHS状态
- 无铅
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 端子表面处理
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- 引脚数量
- 资历状况
- 电源
- 待机电流-最大值
- 座位高度(最大)
- 4-MBIT (512 K × 8) SERIAL (SPI) F-RAM13 Weeks表面贴装8-SOIC (0.209, 5.30mm Width)YESNon-Volatile-40°C~85°C TATubeF-RAM™2013活跃3 (168 Hours)8EAR998542.32.00.712V~3.6VDUAL13.3V1.27mmR-PDSO-G83.6V2V4Mb 512K x 8SYNCHRONOUS40MHzFRAMSPI512KX884194304 bit85°C2.03mm5.28mm5.23mmROHS3 Compliant含铅-----------
- F-RAM 1M (128Kx8) 2.0-3.6V F-RAM6 Weeks表面贴装8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)YESNon-Volatile-40°C~85°C TATubeF-RAM™2012活跃3 (168 Hours)8EAR998542.32.00.712V~3.6VDUAL13.3V1.27mmR-PDSO-G83.6V2V1Mb 128K x 8SYNCHRONOUS40MHzFRAMSPI128KX881048576 bit--4.9mm3.9mmROHS3 Compliant-e3yesTin (Sn)26030FM25V108不合格2.5/3.3V0.00015A1.75mm
- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| FM25V10-G | Cypress Semiconductor Corp | 存储器 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | F-RAM 1M (128Kx8) 2.0-3.6V F-RAM | 对比 | |
| FM25V05-G | Cypress Semiconductor Corp | 存储器 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | NVRAM FRAM Serial-SPI 512K-Bit 3V/3.3V 8-Pin SOIC | 对比 |


哦! 它是空的。