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首页 全部分类 CY62128EV30LL-55ZXE vs AS6C1008-55TIN

CY62128EV30LL-55ZXE备选型号: AS6C1008-55TIN

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  • RoHS状态
  • 无铅
  • 无铅代码
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • Cypress Semiconductor Corp
    CY62128EV30LL-55ZXE
    Cypress Semiconductor Corp
    IC SRAM 1M PARALLEL 32TSOP I
    8 Weeks
    32-TFSOP (0.724, 18.40mm Width)
    表面贴装
    表面贴装
    32
    Volatile
    -40°C~125°C TA
    Tube
    MoBL®
    2003
    e3
    Obsolete
    3 (168 Hours)
    32
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    2.2V~3.6V
    DUAL
    260
    1
    3V
    0.5mm
    30
    CY62128
    32
    3V
    3.6V
    2.2V
    1Mb 128K x 8
    1
    35mA
    SRAM
    Parallel
    3-STATE
    8
    55ns
    17b
    1 Mb
    0.00003A
    55 ns
    COMMON
    Asynchronous
    8b
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
  • Alliance Memory, Inc.
    AS6C1008-55TIN
    Alliance Memory, Inc.
    ALLIANCE MEMORY - AS6C1008-55TIN - SRAM, 1MB, 2.7V-5.5V, 128KX8, 32TSOP-1
    8 Weeks
    32-TFSOP (0.724, 18.40mm Width)
    表面贴装
    表面贴装
    32
    Volatile
    -40°C~85°C TA
    Tray
    -
    2006
    -
    活跃
    3 (168 Hours)
    32
    EAR99
    -
    2.7V~5.5V
    DUAL
    260
    1
    3V
    0.5mm
    40
    -
    32
    3V
    5.5V
    2.7V
    1Mb 128K x 8
    1
    -
    SRAM
    Parallel
    3-STATE
    -
    55ns
    17b
    1 Mb
    -
    55 ns
    COMMON
    -
    -
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    yes
    1mm
    8mm
    18.4mm
    无SVHC
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