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CY62147EV18LL-55BVXI备选型号: AS6C4016-55ZIN

CY62147EV18LL-55BVXI

Cypress Semiconductor Corp

IC SRAM 4MBIT 55NS 48VFBGA

6 Weeks
表面贴装
表面贴装
48-VFBGA
48
Volatile
-40°C~85°C TA
Tray
MoBL®
2001
e1
活跃
3 (168 Hours)
48
Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
1.65V~2.25V
BOTTOM
260
1
1.8V
0.75mm
30
CY62147
48
1.8V
2.25V
4Mb 256K x 16
1
20mA
SRAM
Parallel
3-STATE
16
55ns
18b
4 Mb
0.000005A
55 ns
COMMON
Asynchronous
16b
1V
8mm
无
ROHS3 Compliant
无铅
-
-
-
-
-
-
-
-
AS6C4016-55ZIN

Alliance Memory, Inc.

SRAM 4M, 2.7-5.5V, 55ns 256K x 16 Asyn SRAM

8 Weeks
表面贴装
表面贴装
44-TSOP (0.400, 10.16mm Width)
44
Volatile
-40°C~85°C TA
Tray
-
2008
-
活跃
3 (168 Hours)
44
-
2.7V~5.5V
DUAL
260
1
3V
0.8mm
40
-
44
3V
5.5V
4Mb 256K x 16
1
-
SRAM
Parallel
3-STATE
-
55ns
18b
4 Mb
0.00003A
55 ns
COMMON
-
-
2V
18.6mm
无
ROHS3 Compliant
无铅
yes
EAR99
8542.32.00.32
3/5V
2.7V
18MHz
1.05mm
10.3mm
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