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首页 全部分类 CY62148ELL-55SXI vs AS6C4008-55ZIN

CY62148ELL-55SXI备选型号: AS6C4008-55ZIN

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  • 长度
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  • 无铅
  • 表面安装
  • ECCN 代码
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  • 电源电压-最小值(Vsup)
  • 最高频率
  • 待机电压-最小值
  • Cypress Semiconductor Corp
    CY62148ELL-55SXI
    Cypress Semiconductor Corp
    CYPRESS SEMICONDUCTOR CY62148ELL-55SXI IC, SRAM, 4MBIT, 512KX8, 5V, SOIC32
    6 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    32-SOIC (0.445, 11.30mm Width)
    32
    766.089163mg
    Volatile
    -40°C~85°C TA
    Tube
    MoBL®
    2001
    e4
    yes
    活跃
    3 (168 Hours)
    32
    Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
    4.5V~5.5V
    DUAL
    260
    1
    5V
    30
    CY62148
    32
    5V
    5V
    5V
    4Mb 512K x 8
    1
    15mA
    20mA
    SRAM
    Parallel
    3-STATE
    8
    55ns
    19b
    4 Mb
    0.000007A
    55 ns
    COMMON
    Asynchronous
    8b
    85°C
    2.997mm
    20.4465mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Alliance Memory, Inc.
    AS6C4008-55ZIN
    Alliance Memory, Inc.
    ALLIANCE MEMORY AS6C4008-55ZIN SRAM, 4MB, 512KX8, 3-5V, 32TSOPII
    8 Weeks
    -
    表面贴装
    32-SOIC (0.400, 10.16mm Width)
    32
    -
    Volatile
    -40°C~85°C TA
    Tray
    -
    2009
    e3
    yes
    活跃
    3 (168 Hours)
    32
    Tin (Sn)
    2.7V~5.5V
    DUAL
    260
    1
    3V
    40
    -
    32
    3V
    3/5V
    -
    4Mb 512K x 8
    1
    -
    -
    SRAM
    Parallel
    3-STATE
    8
    55ns
    19b
    4 Mb
    0.00003A
    55 ns
    COMMON
    -
    -
    -
    -
    20.95mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    YES
    EAR99
    5.5V
    2.7V
    18MHz
    2V
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