CY62148G-45SXIT备选型号: N25S818HAS21I
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- 工厂交货时间
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- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 电压 - 供电
- 端子位置
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 功能数量
- 电源电压
- 端子间距
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- JESD-30代码
- 电源电压-最大值(Vsup)
- 电源电压-最小值(Vsup)
- 内存大小
- 内存格式
- 内存接口
- 组织结构
- 内存宽度
- 写入周期时间 - 字符、页面
- 记忆密度
- 访问时间(最大)
- 长度
- 座位高度(最大)
- 宽度
- RoHS状态
- 生命周期状态
- 底架
- 引脚数
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 基本部件号
- 引脚数量
- 工作电源电压
- 界面
- 端口的数量
- 电源电流
- 时钟频率
- 访问时间
- 输出特性
- 无卤素
- 地址总线宽度
- 密度
- 待机电流-最大值
- I/O类型
- 同步/异步
- 字长
- 辐射硬化
- 无铅
- IC SRAM 4M PARALLEL 32SOIC13 Weeks表面贴装32-SOIC (0.445, 11.30mm Width)YESVolatile-40°C~85°C TATape & Reel (TR)MoBL®活跃3 (168 Hours)324.5V~5.5VDUAL未说明15V1.27mm未说明R-PDSO-G325.5V4.5V4Mb 512K x 8SRAMParallel512KX8845ns4194304 bit45 ns20.4465mm2.997mm11.303mmROHS3 Compliant--------------------------
- IC SRAM 256K SPI 16MHZ 8SOIC52 Weeks表面贴装8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)-Volatile-40°C~85°C TATube-活跃3 (168 Hours)81.7V~1.95VDUAL-11.8V-----256Kb 32K x 8SRAMSPI-8---4.9mm--ROHS3 CompliantACTIVE (Last Updated: 4 days ago)表面贴装82008e3yesEAR99Tin (Sn)N25S818HA81.8VParallel, SPI, Serial110mA16MHz32 ns3-STATE无卤素1b256 kb5e-7ASEPARATESynchronous8b无无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| CY62128ELL-45SXI | Cypress Semiconductor Corp | 存储器 | 32-SOIC (0.445, 11.30mm Width) | CYPRESS SEMICONDUCTOR CY62128ELL-45SXI. IC, SRAM, 1MBIT, PARALLEL, 45NS, SOIC-32 | 对比 | |
| CY7C1019DV33-10VXI | Cypress Semiconductor Corp | 存储器 | 32-BSOJ (0.400, 10.16mm Width) | CYPRESS SEMICONDUCTOR CY7C1019DV33-10VXI IC, SRAM, 1MB, 128KX8, 3.3V, SOJ32 | 对比 | |
| N25S818HAS21I | ON Semiconductor | 存储器 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | IC SRAM 256K SPI 16MHZ 8SOIC | 对比 |


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