CY62157ELL-55BVXE备选型号: AS6C8008-55BIN
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- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 表面安装
- 终端
- 电源电压-最大值(Vsup)
- 电源电压-最小值(Vsup)
- IC SRAM 8MBIT 55NS 48VFBGA9 Weeks表面贴装表面贴装48-VFBGA48Volatile-40°C~125°C TATrayMoBL®2011e1yes活跃3 (168 Hours)48Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)4.5V~5.5VBOTTOM26015V0.75mm30CY62157485V5V8Mb 512K x 16135mASRAMParallel3-STATE1655ns19b8 Mb0.00003A55 nsCOMMONAsynchronous16b2V8mm无ROHS3 Compliant无铅----
- SRAM 8M, 2.7-5.5V, 55ns 1024K x 8 Asyn SRAM8 Weeks-表面贴装48-LFBGA48Volatile-40°C~85°C TATray-2008-yes活跃3 (168 Hours)48-2.7V~5.5VBOTTOM26013V0.75mm40-483V3/5V8Mb 1M x 81-SRAMParallel3-STATE855ns20b8 Mb0.00005A55 nsCOMMON--2V8mm无ROHS3 Compliant无铅YESSMD/SMT5.5V2.7V
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| IS62C10248AL-55TLI | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 存储器 | 44-TSOP (0.400, 10.16mm Width) | SRAM Chip Async Single 5V 8M-Bit 1M x 8 55ns 44-Pin TSOP-II | 对比 | |
![]() | AS6C8016-55BIN | Alliance Memory, Inc. | 存储器 | 48-LFBGA | ALLIANCE MEMORY AS6C8016-55BIN SRAM, 8MB, 2.7-5.5V, 512KX16, TFBGA48 | 对比 |
![]() | AS6C8008-55BIN | Alliance Memory, Inc. | 存储器 | 48-LFBGA | SRAM 8M, 2.7-5.5V, 55ns 1024K x 8 Asyn SRAM | 对比 |



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