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首页 全部分类 CY62157EV30LL-45BVXI vs AS6C8016A-55BIN

CY62157EV30LL-45BVXI备选型号: AS6C8016A-55BIN

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  • 同步/异步
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  • 长度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 表面安装
  • Cypress Semiconductor Corp
    CY62157EV30LL-45BVXI
    Cypress Semiconductor Corp
    CYPRESS SEMICONDUCTOR - CY62157EV30LL-45BVXI - IC, SRAM, 8MB, 512KX16, 3V, VFBGA48
    6 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    48-VFBGA
    48
    223.195796mg
    Volatile
    -40°C~85°C TA
    Tray
    MoBL®
    2001
    e1
    yes
    活跃
    3 (168 Hours)
    48
    SMD/SMT
    Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
    2.2V~3.6V
    BOTTOM
    260
    1
    3V
    0.75mm
    1MHz
    30
    CY62157
    48
    3V
    3.6V
    2.2V
    8Mb 512K x 16
    1
    25mA
    25mA
    SRAM
    Parallel
    3-STATE
    16
    45ns
    19b
    8 Mb
    0.000005A
    45 ns
    COMMON
    Asynchronous
    16b
    8mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
  • Alliance Memory, Inc.
    AS6C8016A-55BIN
    Alliance Memory, Inc.
    SRAM Chip Async Single 3.3V 8M-Bit 512K x 16 55ns 48-Pin FBGA
    8 Weeks
    -
    表面贴装
    48-VFBGA
    48
    -
    Volatile
    -40°C~85°C TA
    Tray
    -
    1997
    -
    yes
    活跃
    3 (168 Hours)
    48
    -
    -
    2.7V~3.6V
    BOTTOM
    -
    1
    3.3V
    0.75mm
    -
    -
    -
    48
    3.3V
    3.6V
    2.7V
    8Mb 512K x 16
    1
    -
    -
    SRAM
    Parallel
    -
    16
    55ns
    19b
    8 Mb
    -
    55 ns
    -
    -
    -
    -
    -
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    YES
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