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CY62167GE30-45BVXI备选型号: AS6C1616-55TIN

CY62167GE30-45BVXI

Cypress Semiconductor Corp

SRAM Chip Async Single 3V 16M-bit 1M x 16 45ns 48-Pin VFBGA

13 Weeks
表面贴装
表面贴装
48-VFBGA
48
Volatile
-40°C~85°C TA
Tray
MoBL®
2011
e1
活跃
3 (168 Hours)
48
Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
2.2V~3.6V
BOTTOM
260
1
3V
0.75mm
30
CY62167
3V
3.6V
2.2V
16Mb 2M x 8 1M x 16
1
SRAM
Parallel
16
45ns
20b
16 Mb
45 ns
Asynchronous
16b
8
8mm
ROHS3 Compliant
无铅
-
-
-
-
-
-
AS6C1616-55TIN

Alliance Memory, Inc.

SRAM 16M, 2.7-3.6V, 55ns 1024K x 16 Asyn SRAM

8 Weeks
表面贴装
表面贴装
48-TFSOP (0.724, 18.40mm Width)
48
Volatile
-40°C~85°C TA
Tray
-
2007
-
活跃
3 (168 Hours)
48
-
2.7V~3.6V
DUAL
-
1
3V
0.5mm
-
-
3V
3.6V
2.7V
16Mb 1M x 16
1
SRAM
Parallel
-
55ns
20b
16 Mb
55 ns
-
-
-
18.5mm
ROHS3 Compliant
无铅
yes
1MHz
48
1.05mm
12.1mm
无
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