CY62177EV18LL-70BAXI备选型号: IS61WV102416BLL-10MLI
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- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 端子表面处理
- 电压 - 供电
- 端子位置
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 功能数量
- 电源电压
- 端子间距
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 工作电源电压
- 电源电压-最大值(Vsup)
- 内存大小
- 端口的数量
- 内存格式
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- 长度
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 无铅代码
- 引脚数量
- 电源电压-最小值(Vsup)
- 电源电流
- 输出特性
- 待机电流-最大值
- I/O类型
- 同步/异步
- 字长
- 达到SVHC
- SRAM Chip Async Single 1.8V 32M-Bit 4M/2M x 8/16-Bit 70ns 48-Pin FBGA Tray13 Weeks表面贴装48-TFBGAYES48Volatile-40°C~85°C TATrayMoBL®2001e1活跃3 (168 Hours)48锡银铜1.65V~2.25VBOTTOM26011.8V0.75mm401.8V2.25V32Mb 4M x 8 2M x 161SRAMParallel1670ns21b32 Mb70 ns9.5mm无ROHS3 Compliant无铅----------
- IC SRAM 16M PARALLEL 48MINIBGA8 Weeks表面贴装48-TFBGAYES48Volatile-40°C~85°C TATray--e1活跃3 (168 Hours)48Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)2.4V~3.6VBOTTOM26013.3V0.75mm403.3V3.6V16Mb 1M x 161SRAMParallel1610ns20b16 Mb--无ROHS3 Compliant-yes482.4V95mA3-STATE0.02ACOMMONAsynchronous16b无SVHC
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | R1WV3216RBG-7SI#B0 | Renesas Electronics America | 存储器 | 48-TFBGA | SRAM Chip Async Single 3V 32M-bit 2M x 16 70ns 48-Pin TFBGA | 对比 |
| IS61WV102416BLL-10MLI | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 存储器 | 48-TFBGA | IC SRAM 16M PARALLEL 48MINIBGA | 对比 | |
| IS62WV12816BLL-55BLI | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 存储器 | 48-TFBGA | IC SRAM 2M PARALLEL 48MINIBGA | 对比 |



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