CY62177EV30LL-55ZXI备选型号: CY62167DV30LL-55ZXIT
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- JESD-609代码
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- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 端子表面处理
- 电压 - 供电
- 端子位置
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 功能数量
- 电源电压
- 端子间距
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- 引脚数量
- 工作电源电压
- 电源电压-最大值(Vsup)
- 电源电压-最小值(Vsup)
- 内存大小
- 端口的数量
- 电源电流
- 最大电源电流
- 内存格式
- 内存接口
- 输出特性
- 写入周期时间 - 字符、页面
- 地址总线宽度
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- I/O类型
- 同步/异步
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 无铅代码
- 附加功能
- 频率
- 内存宽度
- 字长
- 备用内存宽度
- SRAM Chip Async Single 3V 32M-bit 4M/2M x 8/16-bit 55ns 48-Pin TSOP-I Tray8 Weeks表面贴装表面贴装48-TFSOP (0.724, 18.40mm Width)48Volatile-40°C~85°C TATrayMoBL®2001e3活跃3 (168 Hours)48Matte Tin (Sn)2.2V~3.7VDUAL26013V0.5mm30CY62177483V3.7V2.2V32Mb 4M x 8 2M x 16145mA45mASRAMParallel3-STATE55ns21b32 Mb55 nsCOMMONAsynchronous1.2mm18.4mm12mm无SVHC无ROHS3 Compliant无铅------
- IC SRAM 16M PARALLEL 48TSOP I10 Weeks表面贴装表面贴装48-TFSOP (0.724, 18.40mm Width)48Volatile-40°C~85°C TATape & Reel (TR)MoBL®2003e3活跃3 (168 Hours)48Matte Tin (Sn)2.2V~3.6VDUAL26013V0.5mm30CY62167-3V3.6V2.2V16Mb 1M x 16130mA-SRAMParallel3-STATE55ns20b16 Mb55 nsCOMMONAsynchronous----无ROHS3 Compliant无铅yesCONFIGURABLE AS 2M X 8 ALSO55GHz1616b8
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| CY62167DV30LL-55ZXIT | Cypress Semiconductor Corp | 存储器 | 48-TFSOP (0.724, 18.40mm Width) | IC SRAM 16M PARALLEL 48TSOP I | 对比 | |
| CY62157EV30LL-55ZXET | Cypress Semiconductor Corp | 存储器 | 48-TFSOP (0.724, 18.40mm Width) | IC SRAM 8M PARALLEL 48TSOP I | 对比 | |
![]() | R1LV3216RSA-7SR#B0 | Renesas Electronics America | 存储器 | 48-TFSOP (0.724, 18.40mm Width) | SRAM Chip Async Single 3V 32M-bit 4M/2M x 8/16-bit 70ns 48-Pin TSOP-I Tray | 对比 |



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