CY7C006A-20JC备选型号: 70V06L20JGI
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- 零件状态
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- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 电压 - 供电
- 端子位置
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 功能数量
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- Reach合规守则
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- 基本部件号
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- 资历状况
- 工作电源电压
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- 写入周期时间 - 字符、页面
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- 长度
- 宽度
- RoHS状态
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- 无铅代码
- 最高工作温度
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- 终端形式
- 温度等级
- 界面
- 最大电源电压
- 最小电源电压
- 电源电流
- 访问时间
- 同步/异步
- 字长
- 座位高度(最大)
- 器件厚度
- 辐射硬化
- IC SRAM 128K PARALLEL 68PLCC表面贴装表面贴装68-LCC (J-Lead)68Volatile0°C~70°C TATube2001e0Obsolete3 (168 Hours)68EAR99锡铅4.5V~5.5VQUAD22515Vnot_compliant20GHz30CY7C00668不合格5V5V128Kb 16K x 82SRAMParallel16KX83-STATE20ns14b128 kb0.0005ACOMMON50.8mm24.33mm24.3332mmNon-RoHS Compliant含铅----------------
- SRAM Chip Async Dual 3.3V 128K-Bit 16K x 8 20ns 68-Pin PLCC Tube表面贴装-PLCC68RAM, SRAM-Bulk2008e3活跃3 (168 Hours)68EAR99哑光锡-QUAD26013.3V----68-3.3V--2--16KX8--28b128 kb---24mm24mm符合RoHS标准无铅7 Weeksyes85°C-40°CJ BENDINDUSTRIALParallel3.6V3V195mA20 nsAsynchronous8b4.57mm3.63mm无
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | 70V06L20JGI8 | Integrated Device Technology (IDT) | 存储器 | PLCC | SRAM Chip Async Dual 3.3V 128K-Bit 16K x 8 20ns 68-Pin PLCC T/R | 对比 |
![]() | 7006L20JGI8 | Integrated Device Technology (IDT) | 存储器 | PLCC | SRAM Chip Async Dual 5V 128K-Bit 16K x 8 20ns 68-Pin PLCC T/R | 对比 |
![]() | 70V06L20JGI | Integrated Device Technology (IDT) | 存储器 | PLCC | SRAM Chip Async Dual 3.3V 128K-Bit 16K x 8 20ns 68-Pin PLCC Tube | 对比 |





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