CY7C1009B-15VXC备选型号: 71024S15TYG
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- RoHS状态
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- 最小工作温度
- 终端形式
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- 温度等级
- 界面
- 最大电源电压
- 最小电源电压
- 访问时间
- 宽度
- 器件厚度
- 辐射硬化
- IC SRAM 1M PARALLEL 32SOJ表面贴装表面贴装32-BSOJ (0.300, 7.62mm Width)32Volatile0°C~70°C TATube2001e4Obsolete3 (168 Hours)32Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)4.5V~5.5VDUAL15Vunknown15GHzCY7C100932不合格5V5V5V1Mb 128K x 8180mASRAMParallel3-STATE815ns17b1 MbCOMMONAsynchronous8b20.828mm3.556mmROHS3 Compliant无铅--------------
- SRAM 128Kx8 ASYNCHRONOUS 5.0V STATIC RAM表面贴装--32RAM, SDR, SRAM - Asynchronous--2013e3活跃3 (168 Hours)32Matte Tin (Sn) - annealed-DUAL15V---32-5V5V-128kB1155mA--3-STATE--17b1 MbCOMMONAsynchronous8b21.95mm3.759mm符合RoHS标准无铅7 Weeksyes70°C0°CJ BEND260COMMERCIALParallel5.5V4.5V15 ns7.6mm2.67mm无
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| IS61C1024AL-12KLI | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 存储器 | 32-BSOJ (0.400, 10.16mm Width) | INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI) - IS61C1024AL-12KLI - SRAM, 1MBIT, 12NS, SOJ-32 | 对比 | |
![]() | 71024S15TYG | Integrated Device Technology (IDT) | 存储器 | SRAM 128Kx8 ASYNCHRONOUS 5.0V STATIC RAM | 对比 |



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