CY7C1019DV33-10ZSXIT备选型号: 71V124SA12PHG
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- 温度等级
- 输出特性
- I/O类型
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- 长度
- 宽度
- 器件厚度
- IC SRAM 1MBIT 10NS 32TSOP8 Weeks表面贴装表面贴装32-SOIC (0.400, 10.16mm Width)3232-TSOP IIVolatile60mA-40°C~85°C TATape & Reel (TR)2002Obsolete3 (168 Hours)85°C-40°C3.3VCY7C1019Parallel1Mb 128K x 8110nsSRAMParallel10ns17b1 Mb100MHzAsynchronous8b3.6V3V无ROHS3 Compliant无铅----------------
- SRAM 128Kx8 ASYNCHRONOUS 3.3V STATIC RAM7 Weeks表面贴装-SOIC32-RAM, SDR, SRAM - Asynchronous130mA--2013活跃3 (168 Hours)70°C0°C3.3V-Parallel128kB112 ns---17b1 Mb-Asynchronous8b3.6V3V无符合RoHS标准无铅e3yes32Matte Tin (Sn) - annealedDUAL鸥翼260130COMMERCIAL3-STATECOMMON3V20.95mm10.16mm1mm
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | 71V124SA10PHG8 | Integrated Device Technology (IDT) | 存储器 | SOIC | SRAM Chip Async Single 3.3V 1M-Bit 128K x 8 10ns 32-Pin TSOP-II T/R | 对比 |
| IS63WV1288DBLL-10TLI | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 存储器 | 32-SOIC (0.400, 10.16mm Width) | SRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 1M-Bit 128K x 8 10ns 32-Pin TSOP-II | 对比 | |
![]() | 71V124SA12PHG | Integrated Device Technology (IDT) | 存储器 | SOIC | SRAM 128Kx8 ASYNCHRONOUS 3.3V STATIC RAM | 对比 |





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