CY7C1020D-10ZSXI备选型号: IS61WV3216DBLL-10TLI
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- 零件状态
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- 终止次数
- 端子表面处理
- 电压 - 供电
- 端子位置
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 功能数量
- 电源电压
- 端子间距
- 频率
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- 引脚数量
- 工作电源电压
- 电源
- 内存大小
- 端口的数量
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- 内存格式
- 内存接口
- 输出特性
- 写入周期时间 - 字符、页面
- 地址总线宽度
- 密度
- 待机电流-最大值
- I/O类型
- 同步/异步
- 字长
- 待机电压-最小值
- 高度
- 长度
- 宽度
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 表面安装
- 电源电压-最大值(Vsup)
- 电源电压-最小值(Vsup)
- 内存宽度
- IC SRAM 512KBIT 10NS 44TSOP6 Weeks表面贴装表面贴装44-TSOP (0.400, 10.16mm Width)44Volatile-40°C~85°C TATray1996e4yes活跃3 (168 Hours)44Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)4.5V~5.5VDUAL26015V0.8mm100MHz30CY7C1020445V5V512Kb 32K x 16180mASRAMParallel3-STATE10ns15b512 kb0.003ACOMMONAsynchronous16b2V1.044mm18.52mm10.262mm无ROHS3 Compliant无铅----
- SRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 512K-bit 32K x 16 10ns 44-Pin TSOP-II8 Weeks-表面贴装44-TSOP (0.400, 10.16mm Width)44Volatile-40°C~85°C TATray---活跃3 (168 Hours)44-2.4V~3.6VDUAL-13V0.8mm------512Kb 32K x 16155mASRAMParallel-10ns15b512 kb--Asynchronous16b----无ROHS3 Compliant-YES3.6V2.4V16
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| IS61C3216AL-12TLI | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 存储器 | 44-TSOP (0.400, 10.16mm Width) | SRAM Chip Async Single 5V 512K-bit 32K x 16 12ns 44-Pin TSOP-II | 对比 | |
| IS61WV3216DBLL-10TLI | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 存储器 | 44-TSOP (0.400, 10.16mm Width) | SRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 512K-bit 32K x 16 10ns 44-Pin TSOP-II | 对比 | |
| IS61C3216AL-12TLI-TR | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 存储器 | 44-TSOP (0.400, 10.16mm Width) | SRAM Chip Async Single 5V 512K-bit 32K x 16 12ns 44-Pin TSOP-II T/R | 对比 |


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