CY7C10211BN-10ZXC备选型号: IS42S16100H-7TLI
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- 安装类型
- 包装/外壳
- 表面安装
- 引脚数
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- 包装
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- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- HTS代码
- 电压 - 供电
- 端子位置
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 功能数量
- 端子间距
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- JESD-30代码
- 资历状况
- 电源
- 内存大小
- 电源电流-最大值
- 内存格式
- 内存接口
- 组织结构
- 输出特性
- 内存宽度
- 写入周期时间 - 字符、页面
- 待机电流-最大值
- 记忆密度
- 访问时间(最大)
- I/O类型
- 待机电压-最小值
- 电压 - 供电 (最大值)
- 电压 - 供电 (最小值)
- 长度
- 座位高度(最大)
- 宽度
- RoHS状态
- 无铅
- 工厂交货时间
- 附加功能
- 端口的数量
- 操作模式
- 时钟频率
- 访问时间
- 刷新周期
- 顺序突发长度
- 交错突发长度
- IC SRAM 1M PARALLEL 44TSOP II表面贴装44-TSOP (0.400, 10.16mm Width)YES44Volatile0°C~70°C TATray2006e4yesObsolete3 (168 Hours)443A991.B.2.BNickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)8542.32.00.415VDUAL26010.8mm20CY7C1021R-PDSO-G44不合格5V1Mb 64K x 160.15mASRAMParallel64KX163-STATE1610ns0.01A1048576 bit10 nsCOMMON4.5V5.5V4.5V18.415mm1.194mm10.16mmROHS3 Compliant无铅---------
- IC DRAM 16M PARALLEL 50TSOP II表面贴装50-TSOP (0.400, 10.16mm Width)YES-Volatile-40°C~85°C TATray---活跃3 (168 Hours)50EAR99--3V~3.6VDUAL-10.8mm--R-PDSO-G50不合格3.3V16Mb 1M x 16-DRAMParallel1MX163-STATE16-0.0035A16777216 bit-COMMON-3.6V3V20.95mm1.2mm10.16mmROHS3 Compliant-6 WeeksPROGRAMMABLE CAS LATENCY; AUTO/SELF REFRESH1SYNCHRONOUS143MHz5.5ns20481248FP1248
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| CY7C1021CV33-15ZXCT | Cypress Semiconductor Corp | 存储器 | 44-TSOP (0.400, 10.16mm Width) | IC SRAM 1M PARALLEL 44TSOP II | 对比 | |
| IS42S16100H-7TLI | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 存储器 | 50-TSOP (0.400, 10.16mm Width) | IC DRAM 16M PARALLEL 50TSOP II | 对比 | |
| IS62C256AL-45TLI | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 存储器 | 28-TSSOP (0.465, 11.80mm Width) | SRAM Chip Async Single 5V 256K-bit 32K x 8 45ns 28-Pin TSOP-I | 对比 |


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