CY7C10212DV33-10BVXI备选型号: IS61WV6416DBLL-10BLI
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 供应商器件包装
- 操作温度
- 包装
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 电压 - 供电
- 基本部件号
- 界面
- 最大电源电压
- 最小电源电压
- 内存大小
- 访问时间
- 内存格式
- 内存接口
- 写入周期时间 - 字符、页面
- RoHS状态
- 工厂交货时间
- 表面安装
- 终止次数
- 端子位置
- 功能数量
- 电源电压
- 端子间距
- 引脚数量
- 资历状况
- 电源电压-最大值(Vsup)
- 电源
- 电源电压-最小值(Vsup)
- 端口的数量
- 电源电流
- 输出特性
- 内存宽度
- 地址总线宽度
- 密度
- 待机电流-最大值
- I/O类型
- 同步/异步
- 字长
- 待机电压-最小值
- 长度
- IC SRAM 1M PARALLEL 48TFBGA表面贴装48-TFBGA4848-TFBGA (6x8)Volatile-40°C~85°C TATrayObsolete3 (168 Hours)85°C-40°C3V~3.6VCY7C10212Parallel3.6V3V1Mb 64K x 1610nsSRAMParallel10nsROHS3 Compliant------------------------
- SRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 1M-bit 64K x 16 10ns 48-Pin Mini-FBGA表面贴装48-TFBGA48-Volatile-40°C~85°C TATray活跃3 (168 Hours)--2.4V~3.6V----1Mb 64K x 16-SRAMParallel10nsROHS3 Compliant8 WeeksYES48BOTTOM13V0.75mm48不合格3.6V2.5/3.3V2.4V155mA3-STATE1616b1 Mb0.000055ACOMMONAsynchronous16b2V8mm
- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | AS6C2008-55BIN | Alliance Memory, Inc. | 存储器 | 36-TFBGA | SRAM Chip Async Single 3V 2M-Bit 256K x 8 55ns 36-Pin TFBGA | 对比 |
| IS61WV25616BLL-10BLI | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 存储器 | 48-TFBGA | IC SRAM 4M PARALLEL 48MINIBGA | 对比 | |
| IS61WV25616BLL-10BLI-TR | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 存储器 | 48-TFBGA | IC SRAM 4M PARALLEL 48MINIBGA | 对比 |



哦! 它是空的。