CY7C10212DV33-10BVXI备选型号: IS61WV6416DBLL-10BLI

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 供应商器件包装
  • 操作温度
  • 包装
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • 电压 - 供电
  • 基本部件号
  • 界面
  • 最大电源电压
  • 最小电源电压
  • 内存大小
  • 访问时间
  • 内存格式
  • 内存接口
  • 写入周期时间 - 字符、页面
  • RoHS状态
  • 工厂交货时间
  • 表面安装
  • 终止次数
  • 端子位置
  • 功能数量
  • 电源电压
  • 端子间距
  • 引脚数量
  • 资历状况
  • 电源电压-最大值(Vsup)
  • 电源
  • 电源电压-最小值(Vsup)
  • 端口的数量
  • 电源电流
  • 输出特性
  • 内存宽度
  • 地址总线宽度
  • 密度
  • 待机电流-最大值
  • I/O类型
  • 同步/异步
  • 字长
  • 待机电压-最小值
  • 长度
  • Cypress Semiconductor Corp
    IC SRAM 1M PARALLEL 48TFBGA
    表面贴装
    48-TFBGA
    48
    48-TFBGA (6x8)
    Volatile
    -40°C~85°C TA
    Tray
    Obsolete
    3 (168 Hours)
    85°C
    -40°C
    3V~3.6V
    CY7C10212
    Parallel
    3.6V
    3V
    1Mb 64K x 16
    10ns
    SRAM
    Parallel
    10ns
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    SRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 1M-bit 64K x 16 10ns 48-Pin Mini-FBGA
    表面贴装
    48-TFBGA
    48
    -
    Volatile
    -40°C~85°C TA
    Tray
    活跃
    3 (168 Hours)
    -
    -
    2.4V~3.6V
    -
    -
    -
    -
    1Mb 64K x 16
    -
    SRAM
    Parallel
    10ns
    ROHS3 Compliant
    8 Weeks
    YES
    48
    BOTTOM
    1
    3V
    0.75mm
    48
    不合格
    3.6V
    2.5/3.3V
    2.4V
    1
    55mA
    3-STATE
    16
    16b
    1 Mb
    0.000055A
    COMMON
    Asynchronous
    16b
    2V
    8mm
  • 添加型号
集成电路(IC)相关产品
图片 产品型号 品牌 分类 封装 描述 对比
AS6C2008-55BIN AS6C2008-55BIN Alliance Memory, Inc. 存储器 36-TFBGA SRAM Chip Async Single 3V 2M-Bit 256K x 8 55ns 36-Pin TFBGA 对比
IS61WV25616BLL-10BLI IS61WV25616BLL-10BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 存储器 48-TFBGA IC SRAM 4M PARALLEL 48MINIBGA 对比
IS61WV25616BLL-10BLI-TR IS61WV25616BLL-10BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 存储器 48-TFBGA IC SRAM 4M PARALLEL 48MINIBGA 对比