CY7C1021CV33-12VC备选型号: 71V016SA12PHGI
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- 电源电流
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- 器件厚度
- 辐射硬化
- IC SRAM 1M PARALLEL 44SOJ表面贴装44-BSOJ (0.400, 10.16mm Width)YES44Volatile0°C~70°C TATube2002e0Obsolete3 (168 Hours)44Tin/Lead (Sn/Pb)3V~3.6VDUAL22513.3Vnot_compliant12GHz30CY7C102144不合格3.3V3.63V2.97V1Mb 64K x 1610.085mASRAMParallel3-STATE1612ns16b1 Mb0.005ACOMMON3V28.575mm3.7592mmNon-RoHS Compliant含铅------------------
- SRAM Chip Async Single 3.3V 1M-Bit 64K x 16 12ns 44-Pin TSOP-II Tube/Tray-TSOP-44RAM, SRAM - Asynchronous--2011e3活跃3 (168 Hours)44Matte Tin (Sn) - annealed-DUAL26013.3V--30-44-3.3V--128kB1---3-STATE--16b1 Mb-COMMON3V18.41mm-符合RoHS标准无铅12 Weeks表面贴装yes85°C-40°C鸥翼0.8mmINDUSTRIALParallel3.6V3V160mA12 nsAsynchronous16b10.16mm1mm无
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | 71V016SA12PHGI | Integrated Device Technology (IDT) | 存储器 | TSOP | SRAM Chip Async Single 3.3V 1M-Bit 64K x 16 12ns 44-Pin TSOP-II Tube/Tray | 对比 |
| CY7C1021BN-12ZXCT | Cypress Semiconductor Corp | 存储器 | 44-TSOP (0.400, 10.16mm Width) | IC SRAM 1M PARALLEL 44TSOP II | 对比 | |
![]() | 71V016SA12PHG8 | Integrated Device Technology (IDT) | 存储器 | TSOP | SRAM Chip Async Single 3.3V 1M-Bit 64K x 16 12ns 44-Pin TSOP-II T/R | 对比 |




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