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首页 全部分类 CY7C1021DV33-10VXI vs 71V016SA10PHG

CY7C1021DV33-10VXI备选型号: 71V016SA10PHG

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  • 端子表面处理
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  • 功能数量
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  • RoHS状态
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  • 无铅
  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • 终端形式
  • 端子间距
  • 温度等级
  • 界面
  • 最大电源电压
  • 最小电源电压
  • 访问时间
  • 宽度
  • 器件厚度
  • Cypress Semiconductor Corp
    CY7C1021DV33-10VXI
    Cypress Semiconductor Corp
    CYPRESS SEMICONDUCTOR CY7C1021DV33-10VXI IC, SRAM, 1MBIT, PARALLEL, 10NS, SOJ-44
    7 Weeks
    44-BSOJ (0.400, 10.16mm Width)
    表面贴装
    表面贴装
    44
    Volatile
    1996
    Tube
    -40°C~85°C TA
    e4
    yes
    活跃
    3 (168 Hours)
    44
    Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
    3V~3.6V
    DUAL
    260
    1
    3.3V
    30
    CY7C1021
    44
    3.3V
    3.63V
    3V
    1Mb 64K x 16
    1
    60mA
    SRAM
    Parallel
    3-STATE
    16
    10ns
    16b
    1 Mb
    0.003A
    100MHz
    COMMON
    Asynchronous
    16b
    2V
    3.7592mm
    28.575mm
    ROHS3 Compliant
    无
    无SVHC
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Integrated Device Technology (IDT)
    71V016SA10PHG
    Integrated Device Technology (IDT)
    SRAM 64Kx16 ASYNCHRONOUS 3.3V STATIC RAM
    12 Weeks
    TSOP
    -
    表面贴装
    44
    RAM, SDR, SRAM - Asynchronous
    2011
    -
    -
    e3
    yes
    活跃
    3 (168 Hours)
    44
    Matte Tin (Sn) - annealed
    -
    DUAL
    260
    1
    3.3V
    30
    -
    44
    3.3V
    -
    -
    128kB
    1
    160mA
    -
    -
    3-STATE
    -
    -
    16b
    1 Mb
    -
    -
    COMMON
    Asynchronous
    16b
    -
    -
    18.41mm
    符合RoHS标准
    无
    -
    无铅
    70°C
    0°C
    鸥翼
    0.8mm
    COMMERCIAL
    Parallel
    3.6V
    3.15V
    10 ns
    10.16mm
    1mm
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