CY7C1041CV33-12BAXE备选型号: AS6C8016A-55BIN
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- JESD-609代码
- 零件状态
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- 端子表面处理
- 电压 - 供电
- 端子位置
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 功能数量
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- 端子间距
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- 引脚数量
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- 电源电压-最大值(Vsup)
- 电源电压-最小值(Vsup)
- 内存大小
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- 输出特性
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- 地址总线宽度
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- I/O类型
- 同步/异步
- 字长
- 长度
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 工厂交货时间
- 表面安装
- 无铅代码
- 访问时间(最大)
- IC SRAM 4M PARALLEL 48FBGA48-TFBGA表面贴装表面贴装48Volatile-40°C~125°C TATray1996e1Discontinued3 (168 Hours)48Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)3V~3.6VBOTTOM26013.3V0.75mm40CY7C1041483.3V3.6V3V4Mb 256K x 161120mASRAMParallel3-STATE1612ns18b4 MbCOMMONAsynchronous16b8.5mm无ROHS3 Compliant无铅----
- SRAM Chip Async Single 3.3V 8M-Bit 512K x 16 55ns 48-Pin FBGA48-VFBGA-表面贴装48Volatile-40°C~85°C TATray1997-活跃3 (168 Hours)48-2.7V~3.6VBOTTOM-13.3V0.75mm--483.3V3.6V2.7V8Mb 512K x 161-SRAMParallel-1655ns19b8 Mb----无ROHS3 Compliant无铅8 WeeksYESyes55 ns
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| CY7C1041DV33-10BVXI | Cypress Semiconductor Corp | 存储器 | 48-VFBGA | SRAM, 4MB, 256KX16, 3.3V, VFBGA48 | 对比 | |
![]() | AS6C8016A-55BIN | Alliance Memory, Inc. | 存储器 | 48-VFBGA | SRAM Chip Async Single 3.3V 8M-Bit 512K x 16 55ns 48-Pin FBGA | 对比 |
| CY62147EV30LL-45B2XI | Cypress Semiconductor Corp | 存储器 | 48-VFBGA | IC SRAM 4M PARALLEL 48VFBGA | 对比 |



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