CY7C1041CV33-20ZC备选型号: 71V016SA15PHG8
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- 安装类型
- 包装/外壳
- 表面安装
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- 包装
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- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- HTS代码
- 电压 - 供电
- 端子位置
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 功能数量
- 端子间距
- Reach合规守则
- 频率
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- JESD-30代码
- 资历状况
- 电源
- 内存大小
- 内存格式
- 内存接口
- 组织结构
- 输出特性
- 内存宽度
- 写入周期时间 - 字符、页面
- 待机电流-最大值
- 记忆密度
- 访问时间(最大)
- I/O类型
- 待机电压-最小值
- 电压 - 供电 (最大值)
- 电压 - 供电 (最小值)
- 长度
- 座位高度(最大)
- 宽度
- RoHS状态
- 无铅
- 工厂交货时间
- 底架
- Current - Supply (Nom)
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 界面
- 端口的数量
- 访问时间
- 地址总线宽度
- 密度
- 同步/异步
- 字长
- 器件厚度
- 辐射硬化
- IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II表面贴装44-TSOP (0.400, 10.16mm Width)YES44Volatile0°C~70°C TATray2006e0noObsolete3 (168 Hours)443A991.B.2.ATin/Lead (Sn/Pb)8542.32.00.413.3VDUAL24010.8mmnot_compliant20GHz30CY7C1041R-PDSO-G44不合格3.3V4Mb 256K x 16SRAMParallel256KX163-STATE1620ns0.01A4194304 bit20 nsCOMMON3V3.6V3V18.415mm1.194mm10.16mmNon-RoHS Compliant含铅--------------
- IC SRAM 1M PARALLEL 44TSOP II-TSOP-44RAM, SDR, SRAM - Asynchronous-Tape & Reel2011--活跃-----3.3V-----------128kB-----------3.6V3V18.41mm-10.16mm符合RoHS标准无铅12 Weeks表面贴装130mA70°C0°CParallel115 ns16b1 MbAsynchronous16b1mm无
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| CY7C1021BN-15ZXI | Cypress Semiconductor Corp | 存储器 | 44-TSOP (0.400, 10.16mm Width) | IC SRAM 1M PARALLEL 44TSOP II | 对比 | |
| CY7C1021BL-15ZXI | Cypress Semiconductor Corp | 存储器 | 44-TSOP (0.400, 10.16mm Width) | IC SRAM 1M PARALLEL 44TSOP II | 对比 | |
![]() | 71V016SA15PHG8 | Integrated Device Technology (IDT) | 存储器 | TSOP | IC SRAM 1M PARALLEL 44TSOP II | 对比 |



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