CY7C1049GN-10VXIT备选型号: IS61WV5128BLL-10KLI
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- 工厂交货时间
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- 包装
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- HTS代码
- 电压 - 供电
- 端子位置
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 功能数量
- 电源电压
- 端子间距
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 电源电压-最大值(Vsup)
- 电源电压-最小值(Vsup)
- 内存大小
- 内存格式
- 内存接口
- 组织结构
- 内存宽度
- 写入周期时间 - 字符、页面
- 记忆密度
- 访问时间(最大)
- 长度
- 座位高度(最大)
- 宽度
- RoHS状态
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 端子表面处理
- 引脚数量
- 端口的数量
- 电源电流
- 输出特性
- 地址总线宽度
- 密度
- 待机电流-最大值
- I/O类型
- 同步/异步
- 字长
- 待机电压-最小值
- 辐射硬化
- IC SRAM 4MBIT 10NS 36SOJ10 Weeks表面贴装36-BSOJ (0.400, 10.16mm Width)YES36Volatile-40°C~85°C TATape & Reel (TR)活跃3 (168 Hours)363A991.B.2.A8542.32.00.414.5V~5.5VDUAL未说明15V1.27mm未说明5.5V4.5V4Mb 512K x 8SRAMParallel512KX8810ns4194304 bit10 ns23.495mm3.7592mm10.16mmROHS3 Compliant---------------
- SRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 4M-bit 512K x 8 10ns 36-Pin SOJ8 Weeks表面贴装36-BSOJ (0.400, 10.16mm Width)YES36Volatile-40°C~85°C TATube活跃3 (168 Hours)36--1.65V~3.6VDUAL26013.3V-103.6V2.4V4Mb 512K x 8SRAMParallel-810ns--23.49mm3.76mm-ROHS3 Compliante3yesMatte Tin (Sn) - annealed36140mA3-STATE19b4 Mb0.008ACOMMONAsynchronous8b2V无
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | AS7C34096A-12JIN | Alliance Memory, Inc. | 存储器 | 36-BSOJ (0.400, 10.16mm Width) | ALLIANCE MEMORY AS7C34096A-12JIN SRAM, 4MB, 3V, 12NS, 512KX8, SOJ36 | 对比 |
![]() | IS61C5128AL-10KLI | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 存储器 | 36-BSOJ (0.400, 10.16mm Width) | SRAM Chip Async Single 5V 4M-bit 512K x 8 10ns 36-Pin SOJ | 对比 |
![]() | IS61WV5128BLL-10KLI | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 存储器 | 36-BSOJ (0.400, 10.16mm Width) | SRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 4M-bit 512K x 8 10ns 36-Pin SOJ | 对比 |




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