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首页 全部分类 CY7C1069AV33-10BAC vs 71V416S10BE

CY7C1069AV33-10BAC备选型号: 71V416S10BE

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 表面安装
  • 引脚数
  • 操作温度
  • 包装
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • HTS代码
  • 电压 - 供电
  • 端子位置
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 功能数量
  • 电源电压
  • 端子间距
  • Reach合规守则
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 基本部件号
  • 引脚数量
  • 资历状况
  • 电源电压-最大值(Vsup)
  • 电源
  • 电源电压-最小值(Vsup)
  • 内存大小
  • 电源电流-最大值
  • 内存格式
  • 内存接口
  • 组织结构
  • 输出特性
  • 内存宽度
  • 写入周期时间 - 字符、页面
  • 待机电流-最大值
  • 记忆密度
  • 访问时间（最大）
  • I/O类型
  • 待机电压-最小值
  • 长度
  • 座位高度(最大)
  • 宽度
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 工厂交货时间
  • 底架
  • 无铅代码
  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • 终端形式
  • 工作电源电压
  • 温度等级
  • 界面
  • 最大电源电压
  • 最小电源电压
  • 端口的数量
  • 电源电流
  • 访问时间
  • 地址总线宽度
  • 密度
  • 同步/异步
  • 字长
  • 器件厚度
  • 辐射硬化
  • Cypress Semiconductor Corp
    CY7C1069AV33-10BAC
    Cypress Semiconductor Corp
    IC SRAM 16M PARALLEL 60FBGA
    表面贴装
    60-TFBGA
    YES
    60
    Volatile
    0°C~70°C TA
    Tray
    2003
    e0
    Obsolete
    3 (168 Hours)
    60
    3A991.B.2.A
    Tin/Lead (Sn/Pb)
    8542.32.00.41
    3V~3.6V
    BOTTOM
    220
    1
    3.3V
    0.75mm
    not_compliant
    未说明
    CY7C1069
    60
    不合格
    3.6V
    3.3V
    3V
    16Mb 2M x 8
    0.275mA
    SRAM
    Parallel
    2MX8
    3-STATE
    8
    10ns
    0.05A
    16777216 bit
    10 ns
    COMMON
    3V
    20mm
    1.2mm
    8mm
    Non-RoHS Compliant
    含铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Integrated Device Technology (IDT)
    71V416S10BE
    Integrated Device Technology (IDT)
    SRAM Chip Async Single 3.3V 4M-Bit 256K x 16 10ns 48-Pin CABGA Tube/Tray
    -
    TFBGA
    -
    48
    RAM, SDR, SRAM - Asynchronous
    -
    -
    2013
    e0
    活跃
    4 (72 Hours)
    48
    -
    Tin/Lead (Sn63Pb37)
    -
    -
    BOTTOM
    225
    1
    3.3V
    0.75mm
    -
    20
    -
    48
    -
    -
    -
    -
    512kB
    -
    -
    -
    -
    3-STATE
    -
    -
    0.02A
    -
    -
    COMMON
    3V
    9mm
    -
    9mm
    符合RoHS标准
    含铅
    12 Weeks
    表面贴装
    no
    70°C
    0°C
    BALL
    3.3V
    INDUSTRIAL
    Parallel
    3.6V
    3V
    1
    200mA
    10 ns
    18b
    4 Mb
    Asynchronous
    16b
    1.2mm
    无
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71V416S10BE 71V416S10BE Integrated Device Technology (IDT) 存储器 TFBGA SRAM Chip Async Single 3.3V 4M-Bit 256K x 16 10ns 48-Pin CABGA Tube/Tray 对比