CY7C1302DV25-167BZC备选型号: IS61NLP25636A-200B3I
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- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 端子表面处理
- 附加功能
- 电压 - 供电
- 端子位置
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 功能数量
- 端子间距
- 基本部件号
- 内存大小
- 端口的数量
- 时钟频率
- 访问时间
- 内存格式
- 内存接口
- 输出特性
- 内存宽度
- 地址总线宽度
- 密度
- I/O类型
- 同步/异步
- 字长
- 长度
- 座位高度(最大)
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 表面安装
- ECCN 代码
- 组织结构
- 待机电流-最大值
- 电压 - 供电 (最小值)
- IC SRAM 9MBIT 167MHZ 165FBGA表面贴装表面贴装165-LBGA165Volatile500mA0°C~70°C TATray2000e0noObsolete3 (168 Hours)165Tin/Lead (Sn/Pb)流水线结构2.5VBOTTOM22011mmCY7C13029Mb 512K x 182167MHz2.5 nsSRAMParallel3-STATE1818b9 MbSEPARATESynchronous18b15mm1.4mm无Non-RoHS Compliant含铅-----
- IC SRAM 9M PARALLEL 165TFBGA-表面贴装165-TFBGA165Volatile--40°C~85°C TATray-e0no最后一次购买2 (1 Year)165Tin/Lead (Sn/Pb)流水线结构3.3VBOTTOM-11mm-9Mb 256K x 364200MHz3.1nsSRAMParallel3-STATE3618b9 MbCOMMON--15mm1.2mm无Non-RoHS Compliant-YES3A991.B.2.A256KX360.05A3.135V
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| CY7C1365C-133BZI | Cypress Semiconductor Corp | 存储器 | 165-LBGA | IC SRAM 8MBIT 133MHZ 165FBGA | 对比 | |
| CY7C1354CV25-166BZCT | Cypress Semiconductor Corp | 存储器 | 165-LBGA | IC SRAM 9MBIT 166MHZ 165FBGA | 对比 | |
| IS61NLP25636A-200B3I | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 存储器 | 165-TFBGA | IC SRAM 9M PARALLEL 165TFBGA | 对比 |


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